[發(fā)明專利]一種量子點固態(tài)膜、量子點發(fā)光二極管及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710154738.7
• 申請日: 2017-03-15
• 公開（公告）號: CN108630827B
• 公開（公告）日: 2020-01-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 程陸玲;楊一行
• 申請（專利權(quán)）人: TCL集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/50;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 44268 深圳市君勝知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)
• 代理人: 王永文;劉文求

1.一種量子點固態(tài)膜的制備方法，其特征在于，包括：

將量子點配制成量子點溶液，然后通過溶液法將量子點溶液沉積于基板上，并干燥，制成量子點固態(tài)膜；

將表面修飾劑配制成表面修飾劑溶液，將制成的量子點固態(tài)膜浸泡在表面修飾劑溶液中一定時間后，取出量子點固態(tài)膜，然后干燥、清洗，得到表面修飾劑修飾的量子點固態(tài)膜；

將金屬納米顆粒種子配制成金屬納米顆粒種子溶液，然后通過溶液法將金屬納米顆粒種子溶液沉積在修飾過的量子點固態(tài)膜上，并干燥，得到含有一層金屬納米顆粒種子的量子點固態(tài)膜；

將含有一層金屬納米顆粒種子的量子點固態(tài)膜浸泡在含有金屬納米線的前驅(qū)液中進行金屬納米線的生長，取出量子點固態(tài)膜，得到生長有一層金屬納米線的量子點固態(tài)膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點固態(tài)膜的制備方法，其特征在于，所述量子點為二元相量子點、三元相量子點、四元相量子點中的一種或多種。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的量子點固態(tài)膜的制備方法，其特征在于，二元相量子點為CdS、CdSe、CdTe、InP、AgS、PbS、PbSe、HgS中的一種或多種，三元相量子點為Zn_XCd_1-XS、Cu_XIn_1-XS、Zn_XCd_1-XSe、Zn_XSe_1-XS、Zn_XCd_1-XTe、PbSe_XS_1-X中的一種或多種，四元相量子點為Zn_XCd_1-XS/ZnSe、Cu_XIn_1-XS/ZnS、Zn_XCd_1-XSe/ZnS、CuInSeS、Zn_XCd_1-XTe/ZnS、PbSe_XS_1-X/ZnS中的一種或多種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點固態(tài)膜的制備方法，其特征在于，所述表面修飾劑為(3-氨乙基)三乙氧基硅烷、(3-氨丙基)三乙氧基硅烷、(3-氨丁基)三乙氧基硅烷、(3-氨乙基)三丙氧基硅烷、(3-氨丙基)三丙氧基硅烷、(3-氨丁基)三丙氧基硅烷、(3-氨乙基)三丁氧基硅烷、(3-氨丙基)三丁氧基硅烷、(3-氨丁基)三丁氧基硅烷中的一種或多種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點固態(tài)膜的制備方法，其特征在于，所述金屬納米顆粒種子為Au納米顆粒、Ag納米顆粒、Cu納米顆粒中的一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點固態(tài)膜的制備方法，其特征在于，金屬納米線的前驅(qū)液為Au納米線的前驅(qū)液、Ag納米線的前驅(qū)液、Cu納米線的前驅(qū)液中的一種。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的量子點固態(tài)膜的制備方法，其特征在于，所述Au納米線的前驅(qū)液包含去離子水、CH₃OH、HAuCl₄、維生素C和4-巰基苯甲酸；所述Ag納米線的前驅(qū)液包含去離子水、MEG、AgNO₃和PVP；所述Cu納米線的前驅(qū)液包含NaOH、CuNO₃、乙二胺和水合肼。

8.一種量子點固態(tài)膜，其特征在于，采用如權(quán)利要求1～7任一所述的量子點固態(tài)膜的制備方法制備而成，所述量子點固態(tài)膜生長有一層金屬納米線。

9.一種量子點發(fā)光二極管，其特征在于，包括陽極，陰極，所述陽極與所述陰極之間設(shè)置的如權(quán)利要求8所述的量子點固態(tài)膜，所述陽極與所述量子點固態(tài)膜之間設(shè)置的空穴注入層，所述空穴注入層與所述量子點固態(tài)膜之間設(shè)置的空穴傳輸層，所述陰極與所述量子點固態(tài)膜之間設(shè)置的電子傳輸層。

10.一種如權(quán)利要求9所述的量子點發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，包括：在陽極上制備空穴注入層；

在空穴注入層上制備空穴傳輸層；

在空穴傳輸層上制備量子點發(fā)光層；所述量子點發(fā)光層為如權(quán)利要求8所述的量子點固態(tài)膜；

在量子點發(fā)光層上制備電子傳輸層，并蒸鍍陰極于電子傳輸層上，得到量子點發(fā)光二極管。