[發明專利]光刻裝置及方法

有效

• 申請號: 201710154356.4
• 申請日: 2017-03-15
• 公開（公告）號: CN107966881B
• 公開（公告）日: 2018-11-23
• 發明（設計）人: 周暢;楊志勇;馬琳琳
• 申請（專利權）人: 上海微電子裝備（集團）股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F9/00
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種光刻裝置，其特征在于，包括至少兩套曝光裝置和一套基板裝置，其中：

所述基板裝置包括一基板臺和一基板，所述基板臺承載所述基板；

所述至少兩套曝光裝置沿曝光掃描方向對稱分布在所述基板上方，同時在所述基板上形成兩個曝光場，對所述曝光場內基板進行曝光；

所述基板裝置還包括測?；鶞拾?，相鄰的所述各曝光裝置中設置的用于測量所述基板的位置的各基板對準裝置通過測量所述測校基準板，實現對所述基板對準裝置相對所述基板臺位置的校準。

2.如權利要求1所述的光刻裝置，其特征在于，所述至少兩套曝光裝置中每套曝光裝置還包括照明裝置、掩膜版、掩膜臺、物鏡、掩膜對準裝置及垂向測量傳感器，其中：

所述掩膜臺承載所述掩膜版，所述照明裝置位于所述掩膜版的上方，所述物鏡位于所述掩膜臺的下方，所述基板對準裝置和所述垂向測量傳感器位于所述基板上方，所述掩膜對準裝置用于測量所述掩膜版的位置，所述基板對準裝置、掩膜對準裝置用于測量所述基板相對所述掩膜版的位置，所述垂向測量傳感器用于測量所述基板的面形。

3.如權利要求2所述的光刻裝置，其特征在于，所述基板裝置還包括基準板，所述每套曝光裝置對應至少一塊基準板，所述基準板上設有基準板標記，所述基板對準裝置和所述掩膜對準裝置測量所述基準板標記的位置以獲得所述基板對準裝置和所述掩膜對準裝置相對所述基板臺的位置。

4.如權利要求3所述的光刻裝置，其特征在于，所述掩膜對準裝置設置在所述基準板下方。

5.如權利要求3所述的光刻裝置，其特征在于，所述每套曝光裝置對應的所述基準板之間設有所述測校基準板，所述測?；鶞拾迳显O有測校標記，相鄰的所述曝光裝置中的基板對準裝置和掩膜對準裝置通過定期測量所述測校標記的位置，實現對所述基板對準裝置、掩膜對準裝置相對所述基板臺的位置的校準。

6.如權利要求2所述的光刻裝置，其特征在于，所述基板包括多個基板對準標記，所述基板對準裝置測量所述基板對準標記的位置以獲得所述基板的位置。

7.一種采用權利要求1所述光刻裝置的光刻方法，其特征在于，所述光刻方法包括：

步驟1、將基板放置于基板臺上，使至少兩套曝光裝置中每套曝光裝置分別對應于所述基板的上方；

步驟2、測量所述基板的整體面形，得到所述基板的全局調平調整量，執行基板的全局調平；

步驟3、所述每套曝光裝置的基板對準裝置同時執行基板對準，根據所述基板與所述基板臺之間的位置關系計算所述基板的上板誤差；

步驟4、控制所述基板臺和/或所述每套曝光裝置的掩膜臺運動補償所述基板的上板誤差；

步驟5、在曝光每個曝光場時，所述每套曝光裝置的垂向測量傳感器實時測量所述曝光場的局部面形，控制所述每套曝光裝置的掩膜臺根據所述基板上曝光場的局部面形運動，使曝光的最佳焦面與所述基板上曝光場重合。

8.如權利要求7所述的光刻方法，其特征在于，所述步驟2具體為：所述每套曝光裝置的垂向測量傳感器測量所述基板上測量點的位置(x_i,y_i,z_i)，將所有測量點的位置(x_i,y_i,z_i)代入平面擬合模型z_i＝wz-wwy*x_i+wwx*y_i，擬合得到所述基板的全局擬合面，其中wz為所述全局擬合面高度值，(wwx，wwy)為所述全局擬合面傾斜值，再根據所述基板的全局擬合面與基板對準最佳焦面之間的差值確定所述基板的全局調平調整量。

9.如權利要求8所述的光刻方法，其特征在于，所述基板對準最佳焦面為所述每套曝光裝置中物鏡的參考焦面的平均值。