[發明專利]一種核殼結構膠體納米片、QLED器件及制備方法

有效

• 申請號: 201710154349.4
• 申請日: 2017-03-15
• 公開（公告）號: CN108630814B
• 公開（公告）日: 2020-08-18
• 發明（設計）人: 劉政
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

1.一種核殼結構膠體納米片的制備方法，其特征在于，包括步驟：

A、制作納米片，并將納米片溶于非極性溶劑中；

B、加入配體，并進行加熱實現納米片的配體交換；

C、按先后順序加入陰離子前驅體和陽離子前驅體，使在納米片表面生長殼層；

所述步驟C之后還包括：

D、按先后順序加入陰離子前驅體和陽離子前驅體，在室溫條件下，在所述步驟C的殼層表面繼續生長另一殼層；

所述配體為八烷硫醇、十烷硫醇、十二烷硫醇、十四烷硫醇、十六烷硫醇、十八烷硫醇中的一種或幾種。

2.根據權利要求1所述的核殼結構膠體納米片的制備方法，其特征在于，所述納米片為包含II族和VI族元素的納米片。

3.根據權利要求1所述的核殼結構膠體納米片的制備方法，其特征在于，所述陰離子前驅體為S的前驅體、Se的前驅體、Te的前驅體的一種或幾種。

4.根據權利要求1所述的核殼結構膠體納米片的制備方法，其特征在于，所述陽離子前驅體為Zn的前驅體、Cd的前驅體、Hg的前驅體、Cn的前驅體中的一種或兩種。

5.根據權利要求1所述的核殼結構膠體納米片的制備方法，其特征在于，所述納米片的內核為均一組分結構；

所述納米片的殼層為另一種不同于內核組分的均一組分結構；或者所述納米片的殼層為均一合金組分結構；或者所述納米片的殼層為徑向方向上越向外能級寬度越寬的漸變合金組分結構。

6.根據權利要求1所述的核殼結構膠體納米片的制備方法，其特征在于，所述步驟D制備的殼層為II族和VI族元素組成的二元或三元結構。

7.根據權利要求1所述的核殼結構膠體納米片的制備方法，其特征在于，所述步驟B中的加熱溫度在25℃至200℃之間，加熱時間在0.5至24h之間。

8.一種核殼結構膠體納米片，其特征在于，采用如權利要求1～7任一項所述的制備方法制成。

9.一種QLED器件，依次包括襯底、底電極、量子點發光層和頂電極，其特征在于，所述QLED器件的量子點發光層采用如權利要求8所述的核殼結構膠體納米片。

10.根據權利要求9所述的QLED器件，其特征在于，所述QLED器件為正置QLED器件或反置QLED器件，所述正置QLED器件為正置頂發射QLED器件或正置底發射QLED器件，所述反置QLED器件為反置頂發射QLED器件或反置底發射QLED器件，所述正置頂發射QLED器件的頂電極為透明陰極，底電極為反射陽極；所述正置底發射QLED器件的頂電極為反射陰極，底電極為透明陽極；所述反置頂發射QLED器件的頂電極為透明陽極，底電極為反射陰極；所述反置底發射QLED器件的頂電極為反射陽極，底電極為透明陰極。

11.根據權利要求10所述的QLED器件，其特征在于，所述正置QLED器件的頂電極和量子點發光層之間還包括電子傳輸層、電子注入層或空穴阻擋層中的至少一層，和/或底電極和量子點發光層之間還包括空穴傳輸層、空穴注入層或電子阻擋層中的至少一層；所述反置QLED器件的頂電極和量子點發光層之間還包括空穴傳輸層、空穴注入層或電子阻擋層中的至少一層，和/或底電極和量子點發光層之間還包括電子傳輸層、電子注入層或空穴阻擋層中的至少一層。

12.一種如權利要求9所述的QLED器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

a、在襯底上制作底電極；b、在底電極上沉積量子點發光層，量子點發光層采用如權利要求9所述的核殼結構膠體納米片；

c、在量子點發光層上制作頂電極。