[發明專利]一種過流保護元件及其制備方法、過流保護電路

有效

• 申請號: 201710154109.4
• 申請日: 2017-03-15
• 公開（公告）號: CN106847372B
• 公開（公告）日: 2018-08-07
• 發明（設計）人: 楊誠;楊瑞;崔曉亞
• 申請（專利權）人: 清華大學深圳研究生院
• 主分類號: H01B1/22
• 分類號: H01B1/22;H01H85/06;H01H85/10
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 余敏

1.一種過流保護元件的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：S1，準備聚合物樹脂作為基質，準備金屬粉末，所述金屬粉末的微觀結構為三維輻射狀結構的顆粒，所述三維輻射狀結構的顆粒中至少30％的表面積上分布有尺寸在5～50nm的納米級微觀結構；將所述金屬粉末均勻分散在所述基質中，制得復合材料；S2，將所述復合材料制成漿料，涂布在絕緣基材上，然后熱處理所述漿料，使所述聚合物樹脂固化，制得過流保護元件。

2.根據權利要求1所述的過流保護元件的制備方法，其特征在于：步驟S1中，所述三維輻射狀結構包括三級枝晶結構、二級枝晶結構、花椰菜狀、草莓狀、絨球狀、海綿狀、海膽狀、海星狀、花狀結構中的一種或者多種的混合。

3.根據權利要求1所述的過流保護元件的制備方法，其特征在于：步驟S1中，所述復合材料中，金屬粉末的質量分數為15％～70％，基質的質量分數為30％～85％。

4.根據權利要求1所述的過流保護元件的制備方法，其特征在于：步驟S2中，通過點膠、絲網印刷或者孔板印刷方式將所述漿料涂布在絕緣基材上。

5.根據權利要求1所述的過流保護元件的制備方法，其特征在于：步驟S2中，在所述絕緣基材上設置金屬電極，將所述漿料涂布在絕緣基材上的金屬電極之間。

6.根據權利要求5所述的過流保護元件的制備方法，其特征在于：所述金屬電極的間距為20μm～20mm，電極寬度為20μm～5mm，厚度為5μm～1mm。

7.根據權利要求1所述的過流保護元件的制備方法，其特征在于：步驟S2中，將所述漿料直接涂布在未設置金屬電極的絕緣基材上；所述制備方法還包括步驟S3，將所述過流保護元件轉貼在電路中的金屬電極之間。

8.一種根據權利要求1～7任一項所述的制備方法制得的過流保護元件。

9.一種過流保護電路，其特征在于：包含如權利要求8所述的過流保護元件。