[發(fā)明專利]一種透明柔性的壓電式納米發(fā)電機的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710154030.1 | 申請日: | 2017-03-15 |
| 公開(公告)號: | CN106876580B | 公開(公告)日: | 2019-02-26 |
| 發(fā)明(設計)人: | 蔡端俊;孫飛鵬;馬吉 | 申請(專利權(quán))人: | 廈門大學 |
| 主分類號: | H01L41/37 | 分類號: | H01L41/37;H01L41/47;H02N2/18 |
| 代理公司: | 廈門南強之路專利事務所(普通合伙) 35200 | 代理人: | 馬應森 |
| 地址: | 361005 *** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 透明 柔性 壓電 納米 發(fā)電機 制備 方法 | ||
1.一種透明柔性的壓電式納米發(fā)電機的制備方法,其特征在于包括以下步驟:
1)在金屬襯底直接生長整齊的氧化鋅納米柱陣列,獲得ZnO/h-BN/金屬復合結(jié)構(gòu);所述在金屬襯底直接生長整齊的氧化鋅納米柱陣列的具體方法為:將六方氮化硼二維薄膜轉(zhuǎn)移覆蓋至金屬襯底表面,作為預導向和預成核層,利用氧化鋅納米柱生長方法直接生長納米柱陣列于金屬襯底上;
2)在ZnO/h-BN/金屬復合結(jié)構(gòu)上旋涂PDMS透明硅膠填充納米柱陣列,獲得彈性的氧化鋅納米柱陣列薄膜;
3)去除金屬襯底,獲得埋藏氧化鋅納米柱陣列的透明PDMS薄膜結(jié)構(gòu);
4)在PDMS/ZnO/h-BN結(jié)構(gòu)的正反兩面壓印上金屬納米線網(wǎng)絡,低溫退火獲得納米焊接網(wǎng)絡,做透明電極;
5)連接上下兩個電極至載體,即完成透明柔性的壓電式納米發(fā)電機的制備。
2.如權(quán)利要求1所述一種透明柔性的壓電式納米發(fā)電機的制備方法,其特征在于所述方法包括化學氣相外延方法或水熱法。
3.如權(quán)利要求1所述一種透明柔性的壓電式納米發(fā)電機的制備方法,其特征在于在步驟1)中,所述金屬襯底選自銅、鎳、鉑、鋁、鐵、金中的至少一種或合金。
4.如權(quán)利要求1所述一種透明柔性的壓電式納米發(fā)電機的制備方法,其特征在于在步驟2)中,所述在ZnO/h-BN/金屬復合結(jié)構(gòu)上旋涂PDMS透明硅膠填充納米柱陣列的具體方法為:在ZnO/h-BN/金屬復合結(jié)構(gòu)上旋涂填充透明硅膠PDMS,再保持納米柱頂部裸露,加熱烘干后得彈性的氧化鋅納米柱陣列薄膜。
5.如權(quán)利要求4所述一種透明柔性的壓電式納米發(fā)電機的制備方法,其特征在于所述透明硅膠PDMS由硅膠彈性基體液和固化劑組成,所述硅膠彈性基體液和固化劑的質(zhì)量比為10︰(0.2~1)。
6.如權(quán)利要求4所述一種透明柔性的壓電式納米發(fā)電機的制備方法,其特征在于所述加熱烘干的溫度為50~150℃,加熱烘干的時間為0.5h。
7.如權(quán)利要求1所述一種透明柔性的壓電式納米發(fā)電機的制備方法,其特征在于在步驟3)中,所述去除金屬襯底的具體方法為:將步驟2)得到的彈性的氧化鋅納米柱陣列薄膜放入化學腐蝕液中溶去金屬襯底。
8.如權(quán)利要求1所述一種透明柔性的壓電式納米發(fā)電機的制備方法,其特征在于在步驟4)中,所述金屬納米線選自銀納米線、銅納米線、金納米線、鉑納米線、鋁納米線、鈀納米線中的至少一種。
9.如權(quán)利要求1所述一種透明柔性的壓電式納米發(fā)電機的制備方法,其特征在于在步驟4)中,所述低溫退火的溫度為125℃。
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