[發(fā)明專利]一種有機(jī)改性CdS摻雜硅納米管復(fù)合材料及制備方法和用途有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710153832.0 | 申請日: | 2017-03-15 |
| 公開(公告)號: | CN106935665B | 公開(公告)日: | 2018-06-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 孫鐵囤;姚偉忠;湯平 | 申請(專利權(quán))人: | 常州億晶光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司: | 常州市英諾創(chuàng)信專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32258 | 代理人: | 鄭云 |
| 地址: | 213000 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 摻雜硅 有機(jī)改性 納米管復(fù)合材料 制備 納米管 太陽光 碲化鎘薄膜太陽電池 太陽能電池制備 光能利用效率 無機(jī)鹽 太陽能電池 改性材料 硅納米管 聚乙烯醇 有機(jī)硅烷 月桂酸酯 鈍化層 偶聯(lián)劑 熱輻射 催化劑 摻雜 電池 | ||
1.一種有機(jī)改性CdS摻雜硅納米管復(fù)合材料,其特征在于,所述復(fù)合材料的制備方法為:將CdS摻雜到硅納米管中,制備CdS摻雜硅納米管,以聚乙烯醇月桂酸酯作為改性材料,有機(jī)硅烷作為偶聯(lián)劑,Na2SO4作為催化劑,對CdS摻雜硅納米管進(jìn)行有機(jī)改性,制得有機(jī)改性CdS摻雜硅納米管復(fù)合材料。
2.一種如權(quán)利要求1所述的有機(jī)改性CdS摻雜硅納米管復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,所述制備方法的具體操作步驟包括:
(1)將硅納米管和去離子水加入到三口燒瓶中,超聲分散1-2小時(shí),向三口燒瓶中添加CdS,于110-150℃下水熱反應(yīng)5-8小時(shí),將所得產(chǎn)物過濾,洗滌,50-70℃下干燥,制得CdS摻雜硅納米管;
(2)取聚乙烯醇月桂酸酯和有機(jī)硅烷偶聯(lián)劑加入到溶劑中,充分?jǐn)嚢?.5小時(shí),然后加入步驟(1)制備的CdS摻雜硅納米管,最后加入Na2SO4催化劑,常溫和150-300r/min轉(zhuǎn)速條件下攪拌反應(yīng)3-5小時(shí),制得有機(jī)改性CdS摻雜硅納米管復(fù)合材料。
3.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)改性CdS摻雜硅納米管復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,步驟(1)中硅納米管、去離子水和CdS的摩爾比為(5-9):(15-25):1。
4.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)改性CdS摻雜硅納米管復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,步驟(2)中溶劑為乙醇、丙酮、芳香烴類或乙二醇醚類;步驟(2)中有機(jī)硅烷偶聯(lián)劑為甲基丙烯酰氧基硅烷。
5.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)改性CdS摻雜硅納米管復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,步驟(2)中聚乙烯醇月桂酸酯、有機(jī)硅烷偶聯(lián)劑、溶劑、CdS摻雜硅納米管和Na2SO4催化劑的摩爾比為1:(0.3-0.6):(10-15):(1-3):(0.05-0.1)。
6.一種如權(quán)利要求1所述的有機(jī)改性CdS摻雜硅納米管復(fù)合材料的用途,其特征在于,所述的有機(jī)改性CdS摻雜硅納米管復(fù)合材料用于制備碲化鎘薄膜太陽電池,其制備方法包括:
(1)在碲化鎘薄膜太陽電池的吸收層表面沉積Cu層后,在Cu層表面沉積有機(jī)改性CdS摻雜硅納米管復(fù)合材料層;
(2)沉積有機(jī)改性CdS摻雜硅納米管復(fù)合材料層后,在200-300℃條件下退火處理40-60分鐘,制得碲化鎘薄膜太陽電池的背鈍化層;
(3)其余制備方法和選用材料同常規(guī)的碲化鎘薄膜太陽電池,制得有機(jī)改性CdS摻雜硅納米管復(fù)合材料背鈍化碲化鎘薄膜太陽電池。
7.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)改性CdS摻雜硅納米管復(fù)合材料的用途,其特征在于,步驟(1)中Cu層的制備方法為電子束熱蒸發(fā)法、磁控濺射法或Cu鹽擴(kuò)散法;步驟(1)中有機(jī)改性CdS摻雜硅納米管復(fù)合材料層的制備方法為電子束熱蒸發(fā)法、磁控濺射法或反應(yīng)濺射法。
8.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)改性CdS摻雜硅納米管復(fù)合材料的用途,其特征在于,步驟(1)中有機(jī)改性CdS摻雜硅納米管復(fù)合材料層厚度為50-100nm。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





