[發(fā)明專(zhuān)利]一種模塊化多電平換流器子模塊過(guò)電壓保護(hù)裝置

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710153762.9
• 申請(qǐng)日: 2017-03-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106953509A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-07-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李強(qiáng);楊杰;許韋華;周季;李泓志;王曉宇;別曉玉
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院;國(guó)家電網(wǎng)公司;國(guó)網(wǎng)山東省電力公司
• 主分類(lèi)號(hào): H02M1/32
• 分類(lèi)號(hào): H02M1/32;H02M7/483
• 代理公司: 北京安博達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11271
• 代理人: 徐國(guó)文

1.一種模塊化多電平換流器子模塊過(guò)電壓保護(hù)裝置，所述模塊化多電平換流器子模塊包括直流儲(chǔ)能電容器；其特征在于，所述裝置包括二極管和直流放電電阻器；所述直流放電電阻器的第一端與二極管的陽(yáng)極連接，其第二端與直流儲(chǔ)能電容器的第二端連接，所述二極管的陰極與直流儲(chǔ)能電容器的第一端連接；所述裝置設(shè)有正極直流出口和負(fù)極直流出口，分別與直流儲(chǔ)能電容器的第一端和第二端連接；所述直流儲(chǔ)能電容器的第一端為正極，第二端為負(fù)極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的模塊化多電平換流器子模塊過(guò)電壓保護(hù)裝置，其特征在于，所述直流放電電阻器為沖擊功率型電阻器。

3.一種模塊化多電平換流器子模塊過(guò)電壓保護(hù)裝置，所述模塊化多電平換流器子模塊包括直流儲(chǔ)能電容器；其特征在于，所述裝置包括晶閘管、直流放電電阻器以及觸發(fā)電路；所述直流放電電阻器的第一端與晶閘管的陰極連接，其第二端與直流儲(chǔ)能電容器的第二端連接，所述晶閘管的陽(yáng)極與直流儲(chǔ)能電容器的第一端連接，所述觸發(fā)電路通過(guò)電纜或光纖連接晶閘管；所述裝置設(shè)有正極直流出口和負(fù)極直流出口，分別與直流儲(chǔ)能電容器的第一端和第二端連接；所述直流儲(chǔ)能電容器的第一端為正極，第二端為負(fù)極。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的模塊化多電平換流器子模塊過(guò)電壓保護(hù)裝置，其特征在于，所述直流放電電阻器為沖擊功率型電阻器。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的模塊化多電平換流器子模塊過(guò)電壓保護(hù)裝置，其特征在于，所述觸發(fā)電路包括BOD1元件、儲(chǔ)能電容C1、儲(chǔ)能電容C2、二極管D1、二極管D2、分壓電阻R1、分壓電阻R2、回路放電電阻R3、限流電阻R4和限流電阻R5；

所述分壓電阻R1和R2之間的連接線(xiàn)上依次連接二極管D1、BOD1元件、限流電阻R4和限流電阻R5；所述儲(chǔ)能電容C1與二極管D1的陽(yáng)極連接；所述回路放電電阻R3連接在BOD1元件和限流電阻R4之間；所述儲(chǔ)能電容C2連接在限流電阻R4和限流電阻R5之間；所述二極管D2連接在限流電阻R5的一端；所述分壓電阻R2、儲(chǔ)能電容C1、回路放電電阻R3、儲(chǔ)能電容C2和二極管D2依次并聯(lián)；所述晶閘管和二極管D2并聯(lián)。

6.一種模塊化多電平換流器子模塊過(guò)電壓保護(hù)裝置，所述模塊化多電平換流器子模塊包括直流儲(chǔ)能電容器；其特征在于，所述裝置包括全控器件、直流放電電阻器以及觸發(fā)電路；所述全控器件的第一端與直流儲(chǔ)能電容器的第一端連接，其第二端與直流放電電阻器的第一端連接，所述直流放電電阻器的第二端與直流儲(chǔ)能電容器的第二端連接，所述觸發(fā)電路通過(guò)電纜或光纖連接全控器件；所述裝置設(shè)有正極直流出口和負(fù)極直流出口，分別與直流儲(chǔ)能電容器的第一端和第二端連接；所述直流儲(chǔ)能電容器的第一端為正極，第二端為負(fù)極。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的模塊化多電平換流器子模塊過(guò)電壓保護(hù)裝置，其特征在于，所述直流放電電阻器為沖擊功率型電阻器。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的模塊化多電平換流器子模塊過(guò)電壓保護(hù)裝置，其特征在于，所述全控器件為絕緣柵雙極型晶體管IGBT；

所述直流放電電阻器的第一端與絕緣柵雙極型晶體管IGBT的發(fā)射極連接，其第二端與直流儲(chǔ)能電容器的負(fù)極連接，所述絕緣柵雙極型晶體管IGBT的集電極與直流儲(chǔ)能電容器的正極連接。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的模塊化多電平換流器子模塊過(guò)電壓保護(hù)裝置，其特征在于，所述全控器件為集成門(mén)極換流晶閘管IGCT或可關(guān)斷晶閘管GTO；

所述直流放電電阻器的第一端與集成門(mén)極換流晶閘管IGCT或可關(guān)斷晶閘管GTO的陰極連接，其第二端與子模塊中直流儲(chǔ)能電容器的負(fù)極連接，所述集成門(mén)極換流晶閘管IGCT或可關(guān)斷晶閘管GTO的陽(yáng)極與直流儲(chǔ)能電容器的正極連接。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的模塊化多電平換流器子模塊過(guò)電壓保護(hù)裝置，其特征在于，所述全控器件為金氧半場(chǎng)效晶體管MOSFET；

所述直流放電電阻器的第一端與金氧半場(chǎng)效晶體管MOSFET的源極連接，其第二端與子模塊中直流儲(chǔ)能電容器的負(fù)極連接，所述金氧半場(chǎng)效晶體管MOSFET的漏極與直流儲(chǔ)能電容器的正極連接。