[發明專利]基片表面的檢測裝置和檢測方法、傳片腔室有效
| 申請號: | 201710153739.X | 申請日: | 2017-03-15 |
| 公開(公告)號: | CN108630561B | 公開(公告)日: | 2021-10-15 |
| 發明(設計)人: | 陳路路;趙海洋;孫偉 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315 | 代理人: | 王思超 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 表面 檢測 裝置 方法 傳片腔室 | ||
1.一種傳片腔室,包括機械手和至少一個用于承載片盒的托盤,其特征在于,還包括基片表面的檢測裝置;所述機械手用于在所述片盒和所述檢測裝置之間傳送所述基片;所述檢測裝置包括:
光源,所述光源用于向所述基片的被檢測表面發射光束;
光探測器,所述光探測器用于接收并匯聚來自所述被檢測表面的反射光束;
光電轉換器,所述光電轉換器與所述光探測器進行通信,用于將匯聚后的所述反射光束轉換為光電流信號;
控制器,所述控制器與所述光電轉換器進行通信,接收所述光電流信號,并判斷所述光電流信號的電流值是否與指定表面對應的電流值一致;若一致,則確定所述被檢測表面是指定表面;若不一致,則確定所述被檢測表面不是指定表面,所述被檢測表面為所述基片一側的拋光面或者另一側的粗糙面。
2.根據權利要求1所述的傳片腔室,其特征在于,所述光源包括點光源或線光源。
3.根據權利要求1所述的傳片腔室,其特征在于,所述光探測器包括光透鏡或光反射鏡。
4.根據權利要求1所述的傳片腔室,其特征在于,還包括報警器,所述報警器與所述控制器進行通信;
當確定所述被檢測表面不是指定表面時,所述控制器發送指令至所述報警器使其發出報警信號。
5.根據權利要求1所述的傳片腔室,其特征在于,還包括承載平臺,所述承載平臺用于承載被檢測基片;
所述機械手用于將片盒中的被檢測基片傳送至所述承載平臺。
6.根據權利要求5所述的傳片腔室,其特征在于,所述檢測裝置設置于所述傳片腔室的內頂壁上,并與所述承載平臺相對。
7.一種基片表面的檢測方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1,向基片的被檢測表面發射光束;
S2,接收來自所述被檢測表面的反射光束;
S3,將所述反射光束轉換為光電流信號;
S4,判斷所述光電流信號的電流值是否與指定表面對應的電流值一致;若一致,則確定所述被檢測表面為指定表面;若不一致,則確定所述被檢測表面不是指定表面,所述被檢測表面為所述基片一側的拋光面或者另一側的粗糙面。
8.根據權利要求7所述的檢測方法,其特征在于,還包括步驟S5:
當確定所述基片的被檢測表面不是指定表面時,發出報警信號。
9.根據權利要求7所述的檢測方法,其特征在于,在進行所述步驟S1之前,還包括以下步驟:
向基片的所述指定表面發射光束;
接收來自所述指定表面的反射光束;
將所述反射光束轉換為光電流信號,并檢測和存儲所述光電流信號的電流值,作為所述指定表面對應的電流值。
10.根據權利要求7-9任意一項所述的檢測方法,其特征在于,所述指定表面為基片的拋光面。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





