[發(fā)明專利]場效應(yīng)晶體管、存儲元件、顯示元件和裝置及系統(tǒng)的制法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710153480.9
• 申請日: 2017-03-15
• 公開（公告）號: CN107204291B
• 公開（公告）日: 2021-01-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曾根雄司;植田尚之;中村有希;安部由希子;松本真二;早乙女遼一;新江定憲;草柳嶺秀
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社理光
• 主分類號: H01L21/34
• 分類號: H01L21/34;H01L21/8242;H01L27/11521
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 宋莉;肖靖泉

1.用于制造場效應(yīng)晶體管的方法，所述場效應(yīng)晶體管包括柵絕緣層、活性層、和鈍化層，所述方法包括：

形成所述柵絕緣層的第一過程；和

形成所述鈍化層的第二過程,

其中所述第一過程和所述第二過程的至少一個(gè)包括：

形成包含鎵、鈧、釔、和鑭系元素的至少一種以及堿土金屬的第一氧化物；和

通過使用包含鹽酸、草酸、硝酸、磷酸、乙酸、硫酸、和過氧化氫水的至少一種的第一溶液蝕刻所述第一氧化物，

其中所述鈍化層包括第一鈍化層和第二鈍化層，

和其中所述第二過程包括：

形成包含第二氧化物的第一鈍化層，所述第二氧化物包含硅和堿土金屬；

形成包含所述第一氧化物的第二鈍化層，所述第二鈍化層布置成與所述第一鈍化層接觸；

使所述第一鈍化層與包含氫氟酸、氟化銨、氟化氫銨、和有機(jī)堿的至少一種的第二溶液接觸，以蝕刻所述第一鈍化層；和

使所述第二鈍化層與所述第一溶液接觸，以蝕刻所述第二鈍化層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的用于制造場效應(yīng)晶體管的方法，其中所述第二過程包括：

在所述第二鈍化層上形成所述第一鈍化層；

在所述第一鈍化層上形成掩模；

在形成所述掩模之后，使所述第一鈍化層與所述第二溶液接觸，以蝕刻所述第一鈍化層；

在蝕刻所述第一鈍化層之后，使所述第二鈍化層與所述第一溶液接觸，以蝕刻所述第二鈍化層；和

除去所述掩模。

3.根據(jù)權(quán)利要求1的用于制造場效應(yīng)晶體管的方法，其中所述第二過程包括：

在所述第一鈍化層上形成所述第二鈍化層；

在所述第二鈍化層上形成掩模；

在形成所述掩模之后，使所述第二鈍化層與所述第一溶液接觸，以蝕刻所述第二鈍化層；

在蝕刻所述第二鈍化層之后，使所述第一鈍化層與所述第二溶液接觸，以蝕刻所述第一鈍化層；和

除去所述掩模。

4.根據(jù)權(quán)利要求1的用于制造場效應(yīng)晶體管的方法，其中所述柵絕緣層、所述活性層、和所述鈍化層形成于絕緣基底上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1的用于制造場效應(yīng)晶體管的方法，其中所述活性層為半導(dǎo)體基底，和其中所述柵絕緣層和所述鈍化層形成于所述半導(dǎo)體基底上。

6.用于制造場效應(yīng)晶體管的方法，所述場效應(yīng)晶體管包括柵絕緣層和活性層，所述方法包括：

形成所述柵絕緣層的第一過程,

其中所述第一過程包括：

形成包含鎵、鈧、釔、和鑭系元素的至少一種以及堿土金屬的第一氧化物；和

通過使用包含鹽酸、草酸、硝酸、磷酸、乙酸、硫酸、和過氧化氫水的至少一種的第一溶液蝕刻所述第一氧化物，

其中所述柵絕緣層包括第一柵絕緣層和第二柵絕緣層，和

其中所述第一過程包括：

形成包含第二氧化物的第一柵絕緣層，所述第二氧化物包含硅和堿土金屬；

形成包含所述第一氧化物的第二柵絕緣層，所述第二柵絕緣層布置成與所述第一柵絕緣層接觸；

使所述第一柵絕緣層與包含氫氟酸、氟化銨、氟化氫銨、和有機(jī)堿的至少一種的第二溶液接觸，以蝕刻所述第一柵絕緣層；和

使所述第二柵絕緣層與所述第一溶液接觸，以蝕刻所述第二柵絕緣層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6的用于制造場效應(yīng)晶體管的方法，其中所述第一過程包括：

在所述第二柵絕緣層上形成所述第一柵絕緣層；

在所述第一柵絕緣層上形成掩模；

在形成所述掩模之后，使所述第一柵絕緣層與所述第二溶液接觸，以蝕刻所述第一柵絕緣層；

在蝕刻所述第一柵絕緣層之后，使所述第二柵絕緣層與所述第一溶液接觸，以蝕刻所述第二柵絕緣層；和

除去所述掩模。