[發(fā)明專利]金屬絕緣體金屬元件的制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710153461.6
• 申請(qǐng)日: 2017-03-15
• 公開（公告）號(hào): CN108538814A
• 公開（公告）日: 2018-09-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 戴炘;張柏成;黃慧秦;竇培庭;呂明政
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 力晶科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/64
• 分類號(hào): H01L23/64
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種金屬絕緣體金屬元件的制造方法，包括：

在基底上依序形成第一金屬層、絕緣層及第二金屬層，以形成金屬絕緣體金屬結(jié)構(gòu)；

在所述第二金屬層的至少一部分上形成圖案化掩模層；

使用不含碳的蝕刻劑對(duì)未形成有所述圖案化掩模層的所述第二金屬層及所述絕緣層進(jìn)行蝕刻；以及

使用包含氧化劑及金屬氧化物蝕刻劑的混合溶液對(duì)經(jīng)蝕刻的所述金屬絕緣體金屬結(jié)構(gòu)進(jìn)行清洗，以去除殘留在所述金屬絕緣體金屬結(jié)構(gòu)上的多余聚合物。

2.如權(quán)利要求1所述的金屬絕緣體金屬元件的制造方法，其中所述第一金屬層及所述第二金屬層的材料為鉭、氮化鉭或者其組合。

3.如權(quán)利要求1所述的金屬絕緣體金屬元件的制造方法，其中在所述第二金屬層及所述絕緣層的蝕刻之后，還包括去除所述圖案化掩模層的灰化步驟。

4.如權(quán)利要求1所述的金屬絕緣體金屬元件的制造方法，其中所述不含碳的蝕刻劑為包括氯氣以及氯化硼的蝕刻氣體。

5.如權(quán)利要求1所述的金屬絕緣體金屬元件的制造方法，其中所述氧化劑是選自由過氧化氫及臭氧組成的群組中的至少一種。

6.如權(quán)利要求1所述的金屬絕緣體金屬元件的制造方法，其中所述氧化劑為硫酸、過氧化氫以及水的DSP混合溶液。

7.如權(quán)利要求6所述的金屬絕緣體金屬元件的制造方法，其中所述氧化劑中，以重量百分比計(jì)，硫酸、過氧化氫以及水的比例為1:1:10～1:1:30。

8.如權(quán)利要求1所述的金屬絕緣體金屬元件的制造方法，其中所述金屬氧化物蝕刻劑包括有機(jī)含氟化合物或無機(jī)含氟化合物。

9.如權(quán)利要求8所述的金屬絕緣體金屬元件的制造方法，其中所述有機(jī)含氟化合物是選自季銨氟化物中的一種，所述無機(jī)含氟化合物是選自由氫氟酸、氟化銨及氟硅酸組成的群組中的至少一種。

10.如權(quán)利要求1所述的金屬絕緣體金屬元件的制造方法，其中所述金屬氧化物蝕刻劑包括氫氟酸。

11.如權(quán)利要求1所述的金屬絕緣體金屬元件的制造方法，其中

所述氧化劑為硫酸、過氧化氫以及水的DSP混合溶液，以重量百分比計(jì)，硫酸、過氧化氫以及水的比例介于1:1:10～1:1:30，并且

所述金屬氧化物蝕刻劑包括氫氟酸。

12.如權(quán)利要求11所述的金屬絕緣體金屬元件的制造方法，其中所述DSP混合溶液與所述氫氟酸的比例，以重量百分比計(jì)，介于1000:1～100:1的范圍。

13.如權(quán)利要求1所述的金屬絕緣體金屬元件的制造方法，其作業(yè)環(huán)境的pH值為pH<4或者pH>12。

14.如權(quán)利要求1所述的金屬絕緣體金屬元件的制造方法，其作業(yè)環(huán)境的溫度介于25℃～220℃的范圍內(nèi)。

15.如權(quán)利要求3所述的金屬絕緣體金屬元件的制造方法，其作業(yè)環(huán)境的溫度小于130℃。