[發明專利]低壓超結MOSFET柵源氧化層結構及制造方法

在審

• 申請號: 201710153059.8
• 申請日: 2017-03-15
• 公開（公告）號: CN106920752A
• 公開（公告）日: 2017-07-04
• 發明（設計）人: 楊樂;劉挺;岳玲
• 申請（專利權）人: 西安龍騰新能源科技發展有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 西安新思維專利商標事務所有限公司61114
• 代理人: 李罡

1.低壓超結MOSFET柵源氧化層結構的制造方法，其特征在于：

通過兩次氮化硅工藝對柵極源極間氧化層厚度進行調整，避免柵源間根部氧化層不均勻，造成器件失效或參數異常。

2.根據權利要求1所述的低壓超結MOSFET柵源氧化層結構的制造方法，其特征在于：

包括以下步驟：

步驟一：提供 n 型重摻雜的 n+ 襯底，并在n+襯底上形成n型外延層；

步驟二：在n型外延上生成第一層氮化硅并通過光刻、干法腐蝕形成有源區的深溝槽與終端區的深溝槽，終端區深溝槽包圍有源區深溝槽；

步驟三：利用濕法熱氧化工藝在所述深溝槽底部和側壁生長場氧化層；

步驟四：利用多晶硅淀積工藝，進行第一次多晶硅淀積；

步驟五：通過干法腐蝕工藝進行多晶硅回刻，刻蝕至多晶硅與外延層上表面齊平；

步驟六：利用干法加濕法工藝去除表面場氧化層，同時場氧化層向深溝槽內部凹陷不能大于1000A；

步驟七：通過光刻、多晶硅刻蝕及濕法腐蝕工藝對有源區深溝槽內的第一多晶硅及場氧化層先后進行回刻，使有源區深溝槽上方得到一個淺溝槽，終端區深溝槽內的第一多晶硅及場氧化層在光刻膠的保護下不回刻；

步驟八：淀積第二層氮化硅，并通過干法刻蝕掉水平面氮化硅并進一步干法刻蝕第一層多晶硅；

步驟九：經過干法熱氧化工藝生長第一層多晶硅表面的柵氧化層，形成厚度均勻的MOSFET器件第一多晶硅表面的柵極氧化層；

步驟十：第二次多晶硅淀積，并對第二次多晶硅干法回刻，形成淺槽MOSFET器件柵極；

步驟十一：P-BODY注入，形成P阱；

步驟十二：通過注入，制作器件有源區；

步驟十三：淀積介質層，接觸孔刻蝕；

步驟十四：接觸孔刻蝕注入形成歐姆接觸，最終完成結構。

3.根據權利要求2所述的低壓超結MOSFET柵源氧化層結構的制造方法，其特征在于：

第一層氮化硅刻蝕和深槽對齊，第二層氮化硅和第一層氮化硅疊加側面平齊，第二層氮化硅和第一層氮化硅疊加厚度能夠有效保護外延平面在第一層多晶硅進一步刻蝕過程不被一同刻蝕。

4.如權利要求3所述的低壓超結MOSFET柵源氧化層結構的制造方法制得的低壓超結MOSFET柵源氧化層結構。