[發(fā)明專利]干法-濕法集成晶片處理系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710153000.9
• 申請日: 2017-03-15
• 公開（公告）號: CN107204304B
• 公開（公告）日: 2020-12-15
• 發(fā)明（設計）人: 索斯藤·利爾;安德列亞斯·費希爾;理查德·H·古爾德;邁克爾·米斯洛沃伊;菲利普·恩格賽;哈拉爾德·奧科倫-施密特;安德斯·喬爾·比約克
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 樊英如;張靜

本發(fā)明涉及干法?濕法集成晶片處理系統(tǒng)。一種用于處理晶片狀物品的裝置包括真空傳送模塊和大氣傳送模塊。第一氣鎖將真空傳送模塊和大氣傳送模塊互連。大氣處理模塊連接到所述大氣傳送模塊。氣體供應系統(tǒng)被配置為將氣體單獨地且以不同的受控流供應到所述大氣傳送模塊、所述第一氣鎖和所述大氣處理模塊中的每一個，以便致使：(i)當所述第一氣鎖和所述大氣傳送模塊朝向彼此打開時，氣體從所述第一氣鎖流向所述大氣傳送模塊，以及(ii)當所述大氣傳送模塊和所述大氣處理模塊朝向彼此打開時，氣體從所述大氣傳送模塊流向所述大氣處理模塊。

技術領域

本發(fā)明涉及一種用于處理晶片狀物品的系統(tǒng)，其中集成了濕法和干法處理模塊。

背景技術

使用各種處理模塊來執(zhí)行半導體晶片的處理。一些處理模塊，例如用于等離子體蝕刻的處理模塊，在真空環(huán)境中進行，并且被認為涉及“干法”處理。其它處理模塊利用各種處理液體并且在環(huán)境壓力環(huán)境中進行，例如濕法蝕刻和/或清潔，并且被認為是“濕法”處理。

美國專利公開No.2008/0057221號描述了一種用于界面工程的受控環(huán)境系統(tǒng)，其中組合實驗室周圍環(huán)境和受控周圍環(huán)境。

然而，實際上，組合濕法和干法處理模塊很少是高效的，因為這些類型的模塊的晶片生產量顯著不同。因此，濕法和干法處理模塊通常彼此獨立地操作。在已經在另一類型的模塊中處理之后，在一種類型的模塊中待處理的晶片的等待時間可能是大量的。例如，在半導體制造設備中，在晶片可以在濕法處理模塊中沖洗之前，晶片在經歷等離子體蝕刻之后有幾個小時或更長的等待時間是尋常的。

本發(fā)明人已經發(fā)現，由于反應性蝕刻殘余物(例如保留在晶片表面上的鹵素)，等待其進行濕法處理的晶片可在晶片上形成的器件結構上經歷慢速反應。這提供了開發(fā)改進的系統(tǒng)的動力，改進的系統(tǒng)集成了濕法和干法處理模塊，大大減少了執(zhí)行晶片的濕法處理和干法處理之間的等待時間。

發(fā)明內容

因此，一方面，本發(fā)明涉及一種用于處理晶片狀物品的裝置，其包括真空傳送模塊和大氣傳送模塊。第一氣鎖將所述真空傳送模塊和所述大氣傳送模塊互連。大氣處理模塊連接到所述大氣傳送模塊。氣體供應系統(tǒng)被配置為將氣體單獨地且以不同的受控流供應到所述大氣傳送模塊、所述第一氣鎖和所述大氣處理模塊中的每一個，以便致使：

(i)當所述第一氣鎖和所述大氣傳送模塊朝向彼此打開時，氣體從所述第一氣鎖流向所述大氣傳送模塊，以及

(ii)當所述大氣傳送模塊和所述大氣處理模塊朝向彼此打開時，氣體從所述大氣傳送模塊流向所述大氣處理模塊。

在根據本發(fā)明的裝置的優(yōu)選實施方式中，所述氣體供應系統(tǒng)包括第一氣體噴頭，所述第一氣體噴頭位于所述第一氣鎖的上部區(qū)域中，并且被配置成在所述第一氣鎖內向下分配氣體。

在根據本發(fā)明的裝置的優(yōu)選實施方式中，所述第一氣鎖被配置為容納具有預定直徑的至少一個晶片狀物品，并且所述第一氣體噴頭包括向下定向的氣體排出開口，當具有預定直徑的晶片狀物品定位在所述第一氣鎖中時，所述氣體排出開口位于該晶片狀物品的徑向外部。優(yōu)選地，所述氣體排出開口位于距所述第一氣鎖的豎直室壁小于5cm的距離處。

在根據本發(fā)明的裝置的優(yōu)選實施方式中，所述氣體供應系統(tǒng)包括第二氣體噴頭，所述第二氣體噴頭位于所述大氣傳送模塊的上部區(qū)域中，并且被配置成在所述大氣傳送模塊內向下分配氣體。

在根據本發(fā)明的裝置的優(yōu)選實施方式中，所述大氣傳送模塊被配置為容納具有預定直徑的至少一個晶片狀物品，并且所述第二氣體噴頭包括向下定向的氣體排出開口，當具有預定直徑的晶片狀物品定位在所述大氣傳送模塊中時，所述氣體排出開口位于該晶片狀物品的徑向外部。優(yōu)選地，所述氣體排出開口位于距所述大氣傳送模塊的豎直室壁小于5cm的距離處。替代地，所述氣體排出開口環(huán)形地布置在具有比待處理的晶片狀物品的直徑大至少5mm的直徑的環(huán)中。