[發明專利]用于制造半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201710152713.3
• 申請日: 2017-03-15
• 公開（公告）號: CN107305837B
• 公開（公告）日: 2021-03-30
• 發明（設計）人: 尹燦植;李基碩;金桐吾;金容才
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/74
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 尹淑梅;劉燦強

1.一種用于制造半導體器件的方法，所述方法包括順序地執行的以下步驟：

在基底中形成在第一方向上延伸的柵極線，在柵極線的側表面上形成雜質區；

在基底上形成絕緣膜圖案，絕緣膜圖案在第一方向上延伸并且包括被構造為暴露雜質區的第一通孔；

在第一通孔上形成阻擋金屬層；

形成填充第一通孔并且電連接到雜質區的導電線接觸件；

在導電線接觸件和絕緣膜圖案上形成第一掩模圖案，第一掩模圖案在與第一方向不同的第二方向上延伸；

通過使用第一掩模圖案執行光刻工藝形成接合墊；以及

通過部分地蝕刻阻擋金屬層去除阻擋金屬層的角部。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，第一掩模圖案包括以斜線形狀延伸的開口。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，第一掩模圖案包括以波形形狀延伸的開口。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，第一掩模圖案包括在垂直方向上延伸的開口。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，部分地蝕刻阻擋金屬層的步驟包括部分地濕法蝕刻阻擋金屬層。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，第一方向與第二方向形成銳角。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，形成絕緣膜圖案的步驟包括：

在基底上順序地形成層間絕緣膜和屏蔽膜；

在屏蔽膜上形成第二掩模圖案，第二掩模圖案在第一方向上延伸并且包括與柵極線疊置的第二開口；

使用第二掩模圖案作為蝕刻掩模來形成穿過屏蔽膜和層間絕緣膜的第二通孔；以及

用絕緣材料填充第二通孔。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，絕緣材料具有相對于層間絕緣膜的高的蝕刻選擇性。

9.根據權利要求7所述的方法，其中，形成絕緣膜圖案的步驟還包括：

在用絕緣材料填充第二通孔之后，通過去除屏蔽膜和層間絕緣膜來形成所述第一通孔。

10.根據權利要求1所述的方法，其中，形成導電線接觸件的步驟包括：

形成部分地填充第一通孔的第一接觸件；以及

在第一接觸件上形成第二接觸件。

11.一種用于制造半導體器件的方法，所述方法包括順序地執行的以下步驟：

在基底中形成在第一方向上延伸的柵極線，在柵極線的側表面上形成雜質區；

在基底上形成在第一方向上延伸的絕緣膜圖案；

在位于絕緣膜圖案之間的第一通孔上形成阻擋金屬層；

使用絕緣膜圖案作為負圖案在第一通孔中形成導電線接觸件；

在絕緣膜圖案上形成第一掩模圖案，第一掩模圖案在與第一方向不同的第二方向上延伸并且包括第一開口；

通過使用第一掩模圖案作為正圖案執行光刻工藝形成接合墊；以及

通過部分地蝕刻阻擋金屬層去除阻擋金屬層的角部。

12.根據權利要求11所述的方法，其中，第一開口以斜線形狀延伸。

13.根據權利要求11所述的方法，其中，第一開口以波形形狀延伸。

14.根據權利要求11所述的方法，其中，第一開口在垂直方向上延伸。

15.根據權利要求11所述的方法，其中，部分地蝕刻阻擋金屬層的步驟包括部分地濕法蝕刻阻擋金屬層。