[發明專利]一種Pb基/3D-PbO2/MeOx復合陽極及其制備方法

有效

• 申請號: 201710152312.8
• 申請日: 2017-03-15
• 公開（公告）號: CN106835193B
• 公開（公告）日: 2018-10-09
• 發明（設計）人: 鐘曉聰;王瑞祥;徐志峰;曹才放;賀山明;韓海軍
• 申請（專利權）人: 江西理工大學
• 主分類號: C25B11/04
• 分類號: C25B11/04;C25C7/02;C25D11/34
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1.一種制備Pb基/3D-PbO₂/MeO_x復合陽極的方法，其特征在于，包括以下步驟：

第一，采用電化學陽極氧化工藝在Pb基表面構建3D-PbO₂結構，工藝條件為：槽電壓為10~ 60 V，沉積時間為 10 s ~ 200 min，電解液組成為：乙二醇、水、侵蝕劑、支持電解質，其中乙二醇與水的摩爾比為5~10，浸蝕劑濃度為0.01 ~ 1 mol/L，支持電解質濃度為0.1 ~ 2mol/L；所述侵蝕劑可為HCl、H₂C₂O₄中的至少一種；所述支持電解質可為Na₂SO₄、K₂SO₄、NaCl、KCl、(NH₄)₂SO₄、NH₄NO₃中的至少一種；

第二，在3D-PbO₂結構內沉積MeO_x涂層，沉積工藝可以為化學沉積、電化學沉積或化學-電化學復合沉積中的一種。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述支持電解質為NH₄NO₃。

3.一種采用權利要求1所述的方法制備得到的Pb基/3D-PbO₂/MeO_x復合陽極，其特征在于，該復合陽極包括三部分，分別為Pb基底、3D-PbO₂和MeO_x膜層；所述Pb基底可以為Pb或Pb合金；所述3D-PbO₂為孔洞結構，孔徑為1-500 μm，厚度為1-1000 μm；所述MeO_x膜層沉積在3D-PbO₂結構內；所述MeOx膜層為金屬氧化物膜層。

4.根據權利要求3所述的Pb基/3D-PbO₂/MeO_x復合陽極，其特征在于，所述Pb合金的合金元素選自Ag, Ca, Sn, Sb, Se, Co, Ce, Nd, Al中的至少一種。

5.根據權利要求3所述的Pb基/3D-PbO₂/MeO_x復合陽極，其特征在于，所述Pb基底的結構可以為平板式、板柵式、柵欄式、篩孔式中的一種。

6.根據權利要求3所述的Pb基/3D-PbO₂/MeO_x復合陽極，其特征在于：所述MeO_x膜層可為MnO₂, PbO₂, CoO₂, SnO₂, Sb₂O₅, CeO₂, NdO₂, Al₂O₃, TiO₂, Nb₂O₅, Ta₂O₅中的一種或多種。