[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710151188.3
• 申請(qǐng)日: 2013-07-11
• 公開（公告）號(hào): CN106887404B
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 沈善一;趙源錫;李云京
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768;H01L23/48
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強(qiáng);尹淑梅

1.一種半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包括：

多個(gè)水平電極，豎直地堆疊在基板上；

多個(gè)第一絕緣層，每個(gè)第一絕緣層設(shè)置在所述多個(gè)水平電極中的相應(yīng)的一對(duì)水平電極之間；

多個(gè)第二絕緣層，每個(gè)第二絕緣層設(shè)置在所述多個(gè)第一絕緣層中的相應(yīng)的一對(duì)第一絕緣層之間并與所述多個(gè)水平電極中的相應(yīng)的一個(gè)水平電極設(shè)置在同一豎直平面；

單元柱，在存儲(chǔ)單元區(qū)域中貫穿所述多個(gè)水平電極和所述多個(gè)第一絕緣層；

多個(gè)存儲(chǔ)元件，插入在單元柱和所述多個(gè)水平電極之間；

接觸結(jié)構(gòu)，在存儲(chǔ)單元區(qū)域中貫穿所述多個(gè)第一絕緣層和所述多個(gè)第二絕緣層并且與所述多個(gè)水平電極電分離；以及

第一導(dǎo)電區(qū)域，設(shè)置在基板中，

其中，接觸結(jié)構(gòu)連接到第一導(dǎo)電區(qū)域，

其中，接觸結(jié)構(gòu)包括沿所述多個(gè)水平電極延伸的線形狀的水平部分。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述多個(gè)第二絕緣層與所述多個(gè)第一絕緣層中的相應(yīng)的一對(duì)第一絕緣層接觸。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述多個(gè)第二絕緣層具有相對(duì)于所述多個(gè)第一絕緣層的蝕刻選擇性。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述多個(gè)第一絕緣層包括硅氧化物層，所述多個(gè)第二絕緣層包括硅氮化物層或硅氮氧化物層。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，接觸結(jié)構(gòu)包括金屬層、金屬硅化物層或?qū)щ娊饘俚飳印?/p>

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一導(dǎo)電區(qū)域與基板具有相同導(dǎo)電類型的雜質(zhì)，并且第一導(dǎo)電區(qū)域的雜質(zhì)濃度比基板的雜質(zhì)濃度大。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一導(dǎo)電區(qū)域?yàn)榻饘賹印⒔饘?金屬硅化物層和導(dǎo)電金屬氮化物層中的至少一種。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置還包括貫穿電極結(jié)構(gòu)的多個(gè)分離層，其中，所述多個(gè)水平電極在所述多個(gè)分離層之間水平地分離，其中，所述多個(gè)分離層沿所述多個(gè)第二絕緣層延伸所沿的方向延伸。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置還包括設(shè)置在基板中的多個(gè)共源線，其中，所述多個(gè)共源線中的每個(gè)共源線與所述多個(gè)分離層中的相應(yīng)的一個(gè)分離層疊置。

10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述分離層包括第一分離層和第二分離層，其中，所述多個(gè)第二絕緣層設(shè)置在第一分離層和第二分離層之間，并且

其中，第一分離層和第二絕緣層之間的距離與第二分離層和第二絕緣層之間的距離基本相同。

11.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述多個(gè)分離層將所述多個(gè)第一絕緣層水平地分成第一多個(gè)子介電層和第二多個(gè)子介電層，其中，所述多個(gè)第二絕緣層填充第一多個(gè)子介電層中的相對(duì)應(yīng)的一對(duì)子介電層之間的區(qū)域的一部分，所述多個(gè)水平電極填充所述區(qū)域的剩余部分。

12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一多個(gè)子介電層的寬度比第二多個(gè)子介電層的寬度大。

13.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述多個(gè)第二絕緣層均具有圍繞接觸結(jié)構(gòu)的側(cè)壁的環(huán)狀結(jié)構(gòu)。

14.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述多個(gè)水平電極部分地插入在單元柱和所述多個(gè)第二絕緣層之間。

15.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述多個(gè)水平電極圍繞單元柱的側(cè)壁。

16.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置還包括：

接觸連接線，設(shè)置在接觸結(jié)構(gòu)上、沿第二絕緣層延伸所沿的方向延伸，其中，接觸連接線電連接到接觸結(jié)構(gòu)。