[發明專利]低溫燒結高介電常數陶瓷材料及其制造方法在審
| 申請號: | 201710151130.9 | 申請日: | 2017-03-14 |
| 公開(公告)號: | CN106830922A | 公開(公告)日: | 2017-06-13 |
| 發明(設計)人: | 李啟云 | 申請(專利權)人: | 湖南云平環保科技有限公司 |
| 主分類號: | C04B35/453 | 分類號: | C04B35/453;C04B35/622 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 低溫 燒結 介電常數 陶瓷材料 及其 制造 方法 | ||
【技術領域】
本發明涉及電子材料技術領域,具體涉及一種低溫燒結高介電常數陶瓷材料及其制造方法。
【背景技術】
隨著電子產品的發展,電子元器件越來越小型化,集成化程度越來越高。要實現微波設備的小型化、高可靠性和廉價性,就需要研發出更具有優越性的新型介質材料。電子元器件的尺寸與介質的介電常數成負相關,要實現微波設備的小型化,就必須研發出更高介電常數的材料,但高介電常數會有更大的介電損耗,尋求高介電常數、低介質損耗一直以來都是研發的目標。
相關技術中,得到高介電常數、低介電損耗的陶瓷材料需要在較高的燒結溫度條件下進行,使該陶瓷材料制造工藝中的能耗、生產成本高,不利于高介電常數陶瓷電容器材料的應用與發展。
因此,有必要提供一種新的工藝解決上述技術問題。
【發明內容】
本發明的目的是克服上述技術問題,提供一種低溫燒結高介電常數陶瓷材料的制造方法,實現在較低燒結溫度下得到的電容器材料同樣具有較高的介電常數。
本發明的技術方案是:
一種低溫燒結高介電常數陶瓷材料的制造方法,包括如下步驟:
步驟S1:將Bi2O3、Ni2O3、ZnO、CuO、Nb2O5按摩爾比19:1:18:2:20配料,加入酒精混合球磨8-10小時,將漿料烘干;
步驟S2:將步驟S1得到的粉料于720-780℃條件下煅燒3-5小時,形成主晶相;
步驟S3:在煅燒后的粉料中加入0.5wt%的脂肪醇聚氧乙烯醚和酒精混合球磨20-30小時,并將漿料烘干;
步驟S4:將步驟3制備的粉料壓制成型為坯體,并將坯體于950℃~1000℃下燒結,并保溫4~6小時,隨爐冷卻得到所述種低溫燒結高介電常數陶瓷材料。
優選的,所述步驟S1、S3中,烘干工藝均采用紅外烘干,烘干溫度為60-80℃。
優選的,所述步驟S3中,將漿料過濾后進行烘干,過濾篩網孔徑為200-400目。
本發明還提供一種低溫燒結高介電常數陶瓷材料,由所述低溫燒結高介電常數陶瓷材料的制造方法制造得到。
優選的,所述低溫燒結高介電常數陶瓷材料的介電常數εr在1MHz測試條件下為180-200,0℃條件下電容量溫度系數為-27×10-6/℃~-20×10-6/℃。
與相關技術相比,本發明提供的低溫燒結高介電常數陶瓷材料的制造方法,有益效果在于:提供一種Bi、Zn原子摻雜的Bi2O3-ZnO-Nb2O5三元系陶瓷介質,并通過優化制造工藝步驟,使在較低溫度下燒結得到的電容器材料具有介電常數高、介電損耗低的優點。經檢測,采用本發明提供的低溫燒結高介電常數陶瓷材料的制造方法,制造得到的電容器材料的介電常數εr在1MHz測試條件下為180-200,0℃條件下電容量溫度系數為-27×10-6/℃~-20×10-6/℃。
【具體實施方式】
下面將通過具體實施方式對本發明作進一步說明。
實施例1
一種低溫燒結高介電常數陶瓷材料的制造方法,包括如下步驟:
步驟S1:將Bi2O3、Ni2O3、ZnO、CuO、Nb2O5按摩爾比19:1:18:2:20配料,加入酒精混合球磨8-10小時,將漿料烘干;
其中,采用紅外烘干工藝,烘干溫度為60℃;
步驟S2:將步驟S1得到的粉料于720℃條件下煅燒3-5小時,形成主晶相;
步驟S3:在煅燒后的粉料中加入0.5wt%的脂肪醇聚氧乙烯醚和酒精混合球磨20-30小時,將漿料通過200目過篩后烘干;烘干工藝為紅外烘干,烘干溫度為60℃;
步驟S4:將步驟3制備的粉料壓制成型為坯體,并將坯體于950℃下燒結,并保溫4~6小時,隨爐冷卻得到所述種低溫燒結高介電常數陶瓷材料。
實施例2
一種低溫燒結高介電常數陶瓷材料的制造方法,包括如下步驟:
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