[發(fā)明專利]半導體裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710149951.9
• 申請日: 2017-03-14
• 公開（公告）號: CN107195596B
• 公開（公告）日: 2023-06-23
• 發(fā)明（設計）人: 班文貝;歐坤錫
• 申請（專利權）人: 艾馬克科技公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/488;H01L23/48;H01L21/56
• 代理公司: 北京銀龍知識產(chǎn)權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;安利霞

1.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

基板，其包括：

第一基板側面、與所述第一基板側面相反的第二基板側面、以及多個延伸在所述第一基板側面與所述第二基板側面之間的周邊基板側面；

中央導電圖案，其在所述第一基板側面處；

邊緣結構，位于所述多個周邊基板側面處，其中所述邊緣結構包括：

經(jīng)單粒化周邊表面，其完全圍繞所述基板的周邊延伸；

第一導電層，其在所述第一基板側面處而且在所述多個周邊基板側面的第一周邊基板側面處；以及

第二導電層，其在所述第二基板側面處并且直接連接至所述第一導電層；以及

介電層，其橫向圍繞所述中央導電圖案；

其中，所述邊緣結構的所述第一導電層沿著所述第一基板側面延伸并且從所述介電層橫向延伸第一距離，并且其中所述邊緣結構的所述第二導電層沿著所述第二基板側面延伸并且從所述介電層橫向延伸第二距離，所述第二距離與所述第一距離不同；

半導體晶粒，其包括：

第一晶粒側面；

第二晶粒側面，其與所述第一晶粒側面相反，所述第二晶粒側面耦接至所述第一基板側面；

多個周邊晶粒側面，其延伸在所述第一晶粒側面與所述第二晶粒側面之間；以及

導電的互連結構，其將所述半導體晶粒電連接至所述中央導電圖案。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，包括囊封體，所述囊封體在所述第一基板側面上并且至少覆蓋所述周邊晶粒側面和所述第二晶粒側面。

3.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，包括導電貫孔，其從所述中央導電圖案直接延伸至所述第二基板側面。

4.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一導電層以及所述第二導電層中的一層是直接電鍍在所述第一導電層以及所述第二導電層中的另一層上。

5.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，包括所述第一導電層的連續(xù)的帶環(huán)繞所述多個周邊基板側面的整個周邊。

6.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第二導電層在所述第一周邊基板側面處露出。

7.如權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一周邊基板側面是完全由所述邊緣結構的所述經(jīng)單粒化周邊表面中的一個或多個所構成。

8.如權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，所述邊緣結構的所述第二導電層比所述邊緣結構的所述第一導電層較厚。

9.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，包括連接器圖案，其連接所述中央導電圖案以及所述邊緣結構。

10.如權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，包括：

囊封體，其直接接觸并且覆蓋至少所述多個周邊晶粒側面；

其中，所述囊封體的相應外周邊表面與所述邊緣結構的相應外周邊表面共平面。

11.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

基板，其包括：

第一基板側面、與所述第一基板側面相反的第二基板側面、以及延伸在所述第一基板側面與所述第二基板側面之間的多個周邊基板側面；

中央導電圖案，其在所述第一基板側面處露出；

邊緣結構，其在所述多個周邊基板側面處露出，其中所述邊緣結構包括多個經(jīng)單?；苓厒让?，所述多個經(jīng)單?；苓厒让嫱耆珖@由所述多個周邊基板側面限定的基板周邊延伸；以及

介電層，其橫向圍繞所述中央導電圖案；以及

半導體晶粒，其耦接至所述第一基板側面；

其中，所述邊緣結構包括在所述多個周邊基板側面的第一周邊基板側面處露出的第一導電層和第二導電層；

其中，所述第一導電層從所述第一周邊基板側面延伸并且沿著所述第一基板側面延伸第一距離；以及

其中，所述第二導電層從所述第一周邊基板側面延伸并且沿著所述第二基板側面延伸第二距離，所述第二距離比所述第一距離短。