[發(fā)明專利]光電子器件、有機(jī)功能層和用于制造光電子器件的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710149636.6 | 申請(qǐng)日: | 2014-06-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107170907A | 公開(公告)日: | 2017-09-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 阿恩特·耶格;岡特·施密德 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 歐司朗OLED股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L51/54 | 分類號(hào): | H01L51/54;H01L51/56;H01L51/50 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227 | 代理人: | 張春水,丁永凡 |
| 地址: | 德國(guó)雷*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光電子 器件 有機(jī) 功能 用于 制造 方法 | ||
本發(fā)明申請(qǐng)是申請(qǐng)日期為2014年6月25日、申請(qǐng)?zhí)枮椤?01480038460.1”、發(fā)明名稱為“光電子器件、有機(jī)功能層和用于制造光電子器件的方法”的發(fā)明專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種光電子器件、一種有機(jī)功能層和一種用于制造光電子器件的方法。
背景技術(shù)
發(fā)射電磁輻射的器件,例如有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)通常存在的問(wèn)題是:提供具有電子和/或空穴的高的導(dǎo)電率的一個(gè)或多個(gè)層。在層中、例如在空穴傳輸層或電子傳輸層中的較高的導(dǎo)電率經(jīng)常正面地影響發(fā)射電磁輻射的層中的激子密度。反之,在層中導(dǎo)電率不充分的情況下,能夠引起在發(fā)射輻射的器件中增強(qiáng)的效率損失和光密度損失。
發(fā)明內(nèi)容
需要解決的目的在于:提供一種光電子器件、一種例如可在其中使用的有機(jī)功能層、以及一種用于制造具有改進(jìn)的導(dǎo)電率的光電子器件的方法。
該目的通過(guò)根據(jù)本發(fā)明的光電子器件、有機(jī)功能層和用于制造光電子器件的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)。所述主題的有利的實(shí)施方式和改進(jìn)形式在本文中說(shuō)明并且從下面的描述和附圖中得知。
根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的光電子器件包括襯底、第一電極、第二電極、至少一個(gè)有機(jī)功能層,所述有機(jī)功能層設(shè)置在第一電極和第二電極之間。有機(jī)功能層包括基體材料、第一化合物和第二化合物,其中第一化合物與第二化合物和第一化合物和/或第二化合物與基體材料相互作用。通過(guò)相互作用產(chǎn)生有機(jī)功能層的導(dǎo)電率,所述導(dǎo)電率相對(duì)于純的基體材料的導(dǎo)電率改進(jìn)。
發(fā)明人驚訝地發(fā)現(xiàn):在光電子器件運(yùn)行中由基體材料、第一化合物和第二化合物構(gòu)成的組合在至少一個(gè)有機(jī)功能層中引起有機(jī)功能層的導(dǎo)電率提高。此外,這產(chǎn)生提高的發(fā)光密度和復(fù)合效率進(jìn)而引起光電子器件的提高的發(fā)光產(chǎn)量。通過(guò)載流子復(fù)合產(chǎn)生的電磁輻射基本上能夠通過(guò)第一電極或第二電極或通過(guò)這兩者耦合輸出。
電磁輻射在此和下文中優(yōu)選包括具有一個(gè)或多個(gè)出自紫外至紅外光譜范圍中的波長(zhǎng)或波長(zhǎng)范圍的電磁輻射、尤其優(yōu)選電磁輻射是具有出自大約350nm和大約800nm之間的可見光譜范圍中的波長(zhǎng)或波長(zhǎng)范圍的可見光。
在本申請(qǐng)的范圍中,將術(shù)語(yǔ)“器件”不僅理解為制成的器件、例如有機(jī)發(fā)光二極管(OLED),而且也理解為襯底和/或有機(jī)層序列。有機(jī)層序列與第一電極和第二電極的復(fù)合件已經(jīng)能夠例如為器件并且形成上級(jí)的第二器件的組成部分,在所述組成部分中例如存在附加的電端子。
“設(shè)置在第一電極和第二電極之間”不排除:其他的層或元件設(shè)置在電極之間,然而其中有機(jī)功能層總是與電極中的一個(gè)至少處于間接的電接觸和/或機(jī)械接觸。
將“導(dǎo)電率”在此和在下文中理解為至少一中材料傳輸載流子的能力,例如負(fù)的載流子(電子)和/或正的載流子(空穴)。導(dǎo)電率能夠通過(guò)至少兩種或三種材料的相互作用產(chǎn)生,例如通過(guò)第一化合物與第二化合物的相互作用或第一化合物和/或第二化合物與基體材料的相互作用產(chǎn)生。導(dǎo)電率與電荷、載流子濃度和載流子的遷移率構(gòu)成的乘積相關(guān)。
根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式,有機(jī)功能層的導(dǎo)電率大于由第一導(dǎo)電率和第二導(dǎo)電率組成的總和,所述第一導(dǎo)電率通過(guò)第一化合物與基體材料的唯一的相互作用產(chǎn)生,所述第二導(dǎo)電率通過(guò)第二化合物與基體材料的唯一的相互作用產(chǎn)生。通過(guò)第一化合物和第二化合物的共同作用在有機(jī)功能層中產(chǎn)生提高的粒子傳輸、例如空穴,和在光電子器件中產(chǎn)生提高的發(fā)光密度和效率。
將“唯一的相互作用”在本文中理解為:第一化合物和基體材料或第二化合物和基體材料僅僅彼此相互作用。“唯一的相互作用”尤其能夠表示:僅第一化合物和基體材料或第二化合物和基體材料是導(dǎo)電的。
將第一化合物與第二化合物的相互作用和/或第一化合物和/或第二化合物與基體材料的相互作用在本文中理解為:在第一化合物和第二化合物之間或在第一化合物和/或第二化合物和基體材料之間構(gòu)成分子之間力(zwischenmolekulare)、分子間力(intermolekulare)、分子內(nèi)力和/或化學(xué)鍵、例如離子相互作用、氫鍵、偶極相互作用、范德華相互作用、離子鍵、共價(jià)鍵、配位鍵和/或金屬鍵。
尤其第一化合物與第二化合物和第一化合物與基體材料和/或第二化合物與基體材料構(gòu)成至少一個(gè)配位鍵。
“配位鍵”在此和在下文中表示,在電子供體和電子受體之間構(gòu)成鍵,其中電子供體提供所有為構(gòu)成配位鍵所需的電子,并且其中電子受體接受所提供的電子。特別地,電子供體或者電子受體能夠僅部分地或者少量地交換電子。
根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式,第一化合物是關(guān)于基體材料的電子受體和/或關(guān)于第二化合物的電子受體。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
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