[發(fā)明專利]一種背照式寬動態(tài)范圍CMOS圖像傳感器的制作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710149265.1
• 申請日: 2017-03-14
• 公開（公告）號: CN108573986A
• 公開（公告）日: 2018-09-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 董長春;其他發(fā)明人請求不公開姓名
• 申請（專利權(quán)）人: 哈爾濱工大華生電子有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種背照式寬動態(tài)范圍CMOS圖像傳感器的制作方法，所述背照式CMOS圖像傳感器采用5T有源像素結(jié)構(gòu)和背面深槽、正面淺槽隔離技術(shù)，太高滿井容量和減小像素間電、光學(xué)串?dāng)_。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種背照式寬動態(tài)范圍CMOS圖像傳感器的制作方法，其特征在于，所述的背照式是采用背面照光的一種探測方式。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種背照式寬動態(tài)范圍CMOS圖像傳感器的制作方法，其特征在于，背面采用深槽隔離BTI和P阱隔離BPW技術(shù),減小背面電、光學(xué)串?dāng)_。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種背照式寬動態(tài)范圍CMOS圖像傳感器的制作方法，其特征在于，晶圓進(jìn)行綁定（Carrier Wafer）技術(shù)，對器件晶圓正面進(jìn)行減薄到器件層最終的厚度，提供了高強(qiáng)度的機(jī)械支撐。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種背照式寬動態(tài)范圍CMOS圖像傳感器的制作方法，其特征在于，正面采用淺槽隔離STI和P阱隔離BPW技術(shù)，減小正面電、光學(xué)串?dāng)_。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種背照式寬動態(tài)范圍CMOS圖像傳感器的制作方法，其特征在于，采用P+擴(kuò)散對其下的 PN 結(jié)實現(xiàn)隔離，從而極大地減小了暗電流。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種背照式寬動態(tài)范圍CMOS圖像傳感器的制作方法，其特征在于，采用5T有源像素結(jié)構(gòu)作為背照式CMOS圖像傳感器單元結(jié)構(gòu)，并采用全并行曝光模式，曝光操作和像素讀出操作可以并行，能夠達(dá)到很高的幀頻，滿足監(jiān)控系統(tǒng)的高速要求。