[發明專利]一種PIN結構紫外光電探測器及其制備方法

在審

• 申請號: 201710148803.5
• 申請日: 2017-03-14
• 公開（公告）號: CN108574020A
• 公開（公告）日: 2018-09-25
• 發明（設計）人: 孫月靜
• 申請（專利權）人: 孫月靜
• 主分類號: H01L31/0304
• 分類號: H01L31/0304;H01L31/105;H01L31/18
• 代理公司: 常州佰業騰飛專利代理事務所(普通合伙) 32231
• 代理人: 康瀟

1.一種PIN結構紫外光電探測器，包括基底(1)，其特征在于：所述基底(1)頂部設有光吸收層(2)，所述光吸收層(2)的頂部設有過渡層(3)，所述過渡層(3)的頂部設有接觸層(4)，所述接觸層(4)的頂部左右兩端分別設有N電極(5)和P電極(6)，所述基底(1)、光吸收層(2)、過渡層(3)和接觸層(4)的外壁均涂覆有SiO₂保護膜層(7)。

2.根據權利要求1所述的一種PIN結構紫外光電探測器，其特征在于：所述基底(1)為n-GaN基底，且n-GaN基底(1)的厚度為2-4μm。

3.根據權利要求1所述的一種PIN結構紫外光電探測器，其特征在于：所述光吸收層(2)為晶格常數和禁帶寬度可獨立變化的AlInGaN四元合金。

4.根據權利要求1所述的一種PIN結構紫外光電探測器，其特征在于：所述過渡層(3)為p-AlInGaN過渡層，且過渡層(3)為雙層結構。

5.一種PIN結構紫外光電探測器制備方法，其特征在于：該PIN結構紫外光電探測器制備方法具體包括以下步驟：

S1：以Al₂O₃作為襯底，在Al₂O₃襯底上生長GaN緩沖層；

S2：在GaN緩沖層上生產2-4μm的摻雜Si的n-GaN，形成n-GaN基底(1)；

S3：在n-GaN基底(1)上生長0.1-0.3μm的i-AlInGaN光吸收層(2)；

S4：在i-AlInGaN光吸收層(2)上再生長0.1-0.3μm的摻雜Mg的p-AlInGaN過渡層(3)；

S5：在p-AlInGaN過渡層(3)上生長摻雜Mg的p-GaN，并以p-GaN作為歐姆接觸層。