[發明專利]一種鍍氧化鋁的高阻隔薄膜及其制造方法在審
申請號: | 201710147674.8 | 申請日: | 2017-03-13 |
公開(公告)號: | CN108570644A | 公開(公告)日: | 2018-09-25 |
發明(設計)人: | 張建國 | 申請(專利權)人: | 佛山市正一包裝材料有限公司 |
主分類號: | C23C14/24 | 分類號: | C23C14/24;C23C14/08 |
代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
地址: | 528137 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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摘要: | |||
搜索關鍵詞: | 氧化鋁 高阻隔薄膜 薄膜 氣化 真空泵抽真空 真空室抽真空 真空蒸鍍機 薄膜卷繞 卷筒薄膜 蒸發沉積 擋板 放卷架 冷卻輥 冷卻源 蒸鍍室 基材 卷繞 膜卷 收卷 蒸鍍 置放 冷卻 制造 穿過 室內 移動 開通 優化 | ||
1.一種鍍氧化鋁的高阻隔薄膜及其制造方法,其特征在于:所述鍍氧化鋁的高阻隔薄膜生產工藝流程為:
第一步:基材放卷:將膜卷基材裝在真空蒸鍍機的放卷架上,薄膜穿過冷卻輥卷繞在收卷軸上;
第二步:抽真空:關閉真空室的相關閥門,用真空泵進行抽真空,使蒸鍍室中的真空度達到設定值;
第三步:加熱氧化鋁:將放置在真空蒸鍍機內部的氧化鋁加熱升溫至氧化鋁完全氣化;
第四步:蒸鍍:當真空度達到設定值時,將卷筒薄膜置放于真空室內,進行蒸鍍;
第五步:冷卻:開通冷卻源,啟動薄膜卷繞系統,當薄膜運行速度達到一定數值后,打開擋板,使氣化氧化鋁蒸發沉積在移動的冷卻的薄膜上;
第六步:測厚:使用測厚裝置對得到的氧化鋁高阻隔薄膜進行厚度測量,分離合格部分與非合格部分;
第七步:展平:將已合格的氧化鋁高阻隔薄膜在展平臺上進行展平,消除薄膜擠皺的部分;
第八步:收卷:將已展平的氧化鋁高阻隔薄膜裝在真空蒸鍍機的放卷架上,薄膜穿過冷卻輥卷繞在收卷軸上。
2.根據權利要求1所述的鍍氧化鋁的高阻隔薄膜,其特征在于:所述的氧化鋁的純度為99.9%。
3.根據權利要求1所述的鍍氧化鋁的高阻隔薄膜,其特征在于:所述的真空度的設定值至少為4×10-4mpa。
4.根據權利要求1所述的鍍氧化鋁的高阻隔薄膜,其特征在于:所述的氧化鋁薄層為一種透明氧化鋁層。
5.根據權利要求1所述的鍍氧化鋁的高阻隔薄膜,其特征在于:所述的待鍍氧化鋁具體為一種氧化鋁細絲狀結構。
6.根據權利要求1所述的鍍氧化鋁的高阻隔薄膜,其特征在于:所述的氧化鋁氣化溫度設置為1100-1200℃。
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