[發明專利]半導體器件以及半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 201710147483.1
• 申請日: 2017-03-13
• 公開（公告）號: CN107275397B
• 公開（公告）日: 2021-11-19
• 發明（設計）人: 宮本廣信;岡本康宏;川口宏;中山達峰
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/20;H01L29/423;H01L29/10;H01L29/06
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 陳偉;沈靜

1.一種半導體器件，其特征在于，具有：

第一氮化物半導體層；

第二氮化物半導體層，其形成于所述第一氮化物半導體層上；

第三氮化物半導體層，其形成于所述第二氮化物半導體層上；

臺面型的第四氮化物半導體層，其形成于所述第三氮化物半導體層上；

源電極，其在所述第三氮化物半導體層上且形成于所述第四氮化物半導體層的一側；

漏電極，其在所述第三氮化物半導體層上且形成于所述第四氮化物半導體層的另一側；

柵極絕緣膜，其覆蓋所述第四氮化物半導體層；以及

柵電極，其形成于所述柵極絕緣膜上，

所述第二氮化物半導體層的電子親和力為所述第一氮化物半導體層的電子親和力以上，

所述第三氮化物半導體層的電子親和力小于所述第一氮化物半導體層的電子親和力，

所述第四氮化物半導體層的電子親和力為所述第二氮化物半導體層的電子親和力以上，

所述第四氮化物半導體層與所述柵電極通過所述柵極絕緣膜而分離，

所述第四氮化物半導體層在所述漏電極側的端部，其膜厚逐漸減少，

所述臺面型的所述第四氮化物半導體層在所述漏電極側的端部處具有第一膜厚部和第二膜厚部，且所述第四氮化物半導體層的所述漏電極側的側面形成為階梯狀，

所述第二膜厚部與所述第一膜厚部相比配置于外側，

所述第二膜厚部的膜厚小于所述第一膜厚部的膜厚。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

所述第四氮化物半導體層在所述源電極側的端部，其膜厚逐漸減少。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，

所述臺面型的所述第四氮化物半導體層具有上表面、所述漏電極側的側面以及所述源電極側的側面。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其特征在于，

所述源電極側的側面呈錐形狀，

所述第三氮化物半導體層與所述源電極側的側面所成的角為120度以上。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其特征在于，

所述漏電極側的側面的從上表面觀察到的柵極長度方向上的長度大于所述源電極側的側面的從上表面觀察到的柵極長度方向上的長度。

6.根據權利要求4所述的半導體器件，其特征在于，

具有：

第一絕緣膜，其在所述第三氮化物半導體層上且形成于所述第四氮化物半導體層的所述漏電極側；以及

第二絕緣膜，其在所述第三氮化物半導體層上且形成于所述第四氮化物半導體層的所述源電極側。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，

所述柵極絕緣膜從所述第一絕緣膜上延伸至所述第二絕緣膜上。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，其特征在于，

所述第一絕緣膜的與所述柵極絕緣膜重疊一側的側面呈錐形狀。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，其特征在于，

所述第二絕緣膜的與所述柵極絕緣膜重疊一側的側面呈錐形狀。

10.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

所述臺面型的所述第四氮化物半導體層在所述源電極側的端部處具有第三膜厚部和第四膜厚部，

所述第四膜厚部與所述第三膜厚部相比配置于外側，

所述第四膜厚部的膜厚小于所述第三膜厚部的膜厚。

11.根據權利要求10所述的半導體器件，其特征在于，

所述第二膜厚部的柵極長度方向上的長度大于所述第四膜厚部的柵極長度方向上的長度。