[發明專利]存儲器裝置、字線譯碼器及存儲器裝置的操作方法在審
| 申請號: | 201710146806.5 | 申請日: | 2017-03-13 |
| 公開(公告)號: | CN108573724A | 公開(公告)日: | 2018-09-25 |
| 發明(設計)人: | 鄭致杰;蔡文哲 | 申請(專利權)人: | 旺宏電子股份有限公司 |
| 主分類號: | G11C8/08 | 分類號: | G11C8/08;G11C8/10 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 任巖 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶體管 存儲器裝置 下拉晶體管 字線驅動器 字線譯碼器 選擇電壓 字線 電性連接 字線電壓 輸出端 輸入端 拉升 | ||
1.一種存儲器裝置,包括:
一存儲單元陣列,包括多條字線(word line);以及
一字線譯碼器,包括多個字線驅動器,其中各該字線驅動器具有一輸入端及一輸出端,該輸出端電性連接于這些字線的其中之一,且各該字線驅動器包括:
一拉升晶體管(pull-up transistor),電性連接于該輸入端及該輸出端,若通過施加一選擇電壓使該拉升晶體管被開啟,則該拉升晶體管透過該輸出端提供一第一字線電壓至已選擇的這些字線的其中之一;
一下拉晶體管(pull-down transistor),電性連接于該輸入端及該輸出端,若通過施加一未選擇電壓使該下拉晶體管被開啟,則該下拉晶體管透過該輸出端提供一第二字線電壓至未選擇的其余這些字線,該未選擇電壓高于該選擇電壓;及
一中間晶體管,電性連接于該輸入端及該下拉晶體管,以降低提供至該下拉晶體管的該未選擇電壓。
2.根據權利要求1所述的存儲器裝置,其中
在各該字線驅動器中,該中間晶體管被施加的一驅動電壓高于該中間晶體管的一閾值電壓;
在各該字線驅動器中,該驅動電壓與該中間晶體管的該閾值電壓的差值大于該下拉晶體管的一閾值電壓。
3.根據權利要求1所述的存儲器裝置,其中
在各該字線驅動器中,該中間晶體管系持續被開啟;
在各該字線驅動器中,該中間晶體管電性連接于該輸入端及該下拉晶體管的一柵極。
4.一種字線譯碼器,包括多個字線驅動器,其中各該字線驅動器具有一輸入端及一輸出端,該輸出端電性連接于多條字線的其中之一,且各該字線驅動器包括:
一拉升晶體管(pull-up transistor),電性連接于該輸入端及該輸出端,若通過施加一選擇電壓使該拉升晶體管被開啟,則該拉升晶體管透過該輸出端提供一第一字線電壓至已選擇的這些字線的其中之一;
一下拉晶體管(pull-down transistor),電性連接于該輸入端及該輸出端,若通過施加一未選擇電壓使該下拉晶體管被開啟,則該下拉晶體管透過該輸出端提供一第二字線電壓至未選擇的其余這些字線,該未選擇電壓高于該選擇電壓;以及
一中間晶體管,電性連接于該輸入端及該下拉晶體管,以降低提供至該下拉晶體管的該未選擇電壓。
5.根據權利要求4所述的字線譯碼器,其中
在各該字線驅動器中,該中間晶體管被施加的一驅動電壓高于該中間晶體管的一閾值電壓;
在各該字線驅動器中,該驅動電壓與該中間晶體管的該閾值電壓的差值大于該下拉晶體管的一閾值電壓。
6.根據權利要求4所述的字線譯碼器,其中
在各該字線驅動器中,該中間晶體管系持續被開啟;在各該字線驅動器中,該中間晶體管電性連接于該輸入端及該下拉晶體管的一柵極。
7.一種存儲器裝置的操作方法,其中該存儲器裝置包括一存儲單元陣列及一字線譯碼器,該存儲單元陣列包括多條字線,該字線譯碼器包括多個字線驅動器,各該字線驅動器包括一拉升晶體管(pull-up transistor)、一下拉晶體管(pull-down transistor)及一中間晶體管,該操作方法包括:
在這些字線驅動器的其中之一中,通過施加一選擇電壓于該輸入端,以開啟該拉升晶體管并關閉該下拉晶體管,使得一第一字線電壓透過該輸出端提供至已選擇的這些字線的其中之一;以及
在其余的這些字線驅動器的任一中,通過施加一未選擇電壓于該輸入端,以關閉該拉升晶體管并開啟該下拉晶體管,使得一第二字線電壓透過該輸出端提供至未選擇的這些字線的其中之一;
其中于各該字線驅動器中,該中間晶體管電性連接于該輸入端及該下拉晶體管,以降低提供至該下拉晶體管的該未選擇電壓。
8.根據權利要求7所述的存儲器裝置的操作方法,其中在各該字線驅動器中,該中間晶體管被施加的一驅動電壓高于該中間晶體管的一閾值電壓;
在各該字線驅動器中,該驅動電壓與該中間晶體管的該閾值電壓的差值大于該下拉晶體管的一閾值電壓。
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