[發明專利]一種半導體器件及其制備方法、電子裝置

有效

• 申請號: 201710146656.8
• 申請日: 2017-03-13
• 公開（公告）號: CN108573914B
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發明（設計）人: 李鳳蓮;倪景華
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 高偉;馮永貞

1.一種半導體器件，其特征在于，所述半導體器件包括：

基底；

超低K介電層，位于所述基底上；

互連結構，嵌于所述超低K介電層中并且露出所述互連結構的頂部表面；

覆蓋層，位于所述超低K介電層和所述互連結構上；

其中，所述互連結構和所述覆蓋層經熱固化處理得到，以消除所述互連結構中的應力，所述覆蓋層分多次來形成并且在每次形成之后均對所述覆蓋層進行熱固化處理。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述覆蓋層包括依次堆疊的第一層和第二層。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述覆蓋層的厚度為100埃～800埃。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述覆蓋層包括含碳的氮化硅材料。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括：

鈍化層，位于所述覆蓋層上；

頂部金屬層和/或頂部通孔，形成于所述鈍化層中并與所述互連結構電連接。

6.根據權利要求5所述的半導體器件，其特征在于，所述鈍化層包括正硅酸乙酯層。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述超低K介電層的K值在2.5以下。

8.一種半導體器件的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

提供基底，在所述基底上形成有超低K介電層以及嵌于所述超低K介電層中并露出頂部表面的互連結構；

在所述超低K介電層和所述互連結構上形成覆蓋層，以覆蓋所述超低K介電層和所述互連結構；

執行熱固化步驟，以消除所述互連結構中的應力；

重復執行形成所述覆蓋層的步驟和所述熱固化步驟。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，重復一次形成所述覆蓋層的步驟和所述熱固化步驟。

10.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述覆蓋層的厚度為100埃～800埃。

11.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述覆蓋層包括含碳的氮化硅材料。

12.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述熱固化步驟的時間為100s～500s。

13.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述熱固化步驟的溫度為200攝氏度～400攝氏度。

14.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，在形成所述覆蓋層之后所述方法還包括：

在所述覆蓋層上形成鈍化層；

在所述鈍化層中形成與所述互連結構電連接的頂部金屬層和/或頂部通孔。

15.根據權利要求14所述的方法，其特征在于，所述鈍化層包括正硅酸乙酯層。

16.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述超低K介電層的K值在2.5以下。

17.一種電子裝置，其特征在于，所述電子裝置包括權利要求1至7之一所述的半導體器件。