[發(fā)明專利]一種復(fù)合光子晶體結(jié)構(gòu)閃爍體有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710146652.X | 申請(qǐng)日: | 2017-03-13 |
| 公開(公告)號(hào): | CN106842384B | 公開(公告)日: | 2018-08-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉波;程傳偉;顧牡;陳鴻;張娟楠 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 同濟(jì)大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G02B1/118 | 分類號(hào): | G02B1/118;G02B1/00 |
| 代理公司: | 上海科盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31225 | 代理人: | 陳亮 |
| 地址: | 200092 *** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 復(fù)合 光子 晶體結(jié)構(gòu) 閃爍 | ||
1.一種復(fù)合光子晶體結(jié)構(gòu)閃爍體,包括閃爍體基底、布置在閃爍體基底上的減反射層、布置在減反射層上的光子晶體層,其特征在于,
所述的減反射層由具有梯度折射率的錐形體或錐臺(tái)體呈周期陣列或無(wú)序陣列構(gòu)成,所述的光子晶體層為內(nèi)部形成周期性空氣孔洞的高折射率材料層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種復(fù)合光子晶體結(jié)構(gòu)閃爍體,其特征在于,所述的錐形體的底邊長(zhǎng)度介于λ/30和λ/10之間,底角介于20-60度之間,各錐形體之間的平均間隙小于λ/30,其中λ為閃爍發(fā)光的中心波長(zhǎng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種復(fù)合光子晶體結(jié)構(gòu)閃爍體,其特征在于,所述的錐臺(tái)體的底邊與頂邊的長(zhǎng)度介于λ/30和λ/10之間,底角介于20-60度之間,各錐臺(tái)體之間的平均間隙小于λ/30,其中λ為閃爍發(fā)光的中心波長(zhǎng)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種復(fù)合光子晶體結(jié)構(gòu)閃爍體,其特征在于,所述的減反射層采用自組裝二氧化硅微球制備得到,然后利用含氟等離子體刻蝕得到錐形體或錐臺(tái)體自組裝單層陣列。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種復(fù)合光子晶體結(jié)構(gòu)閃爍體,其特征在于,所述的光子晶體層為TiO2層,在該TiO2層內(nèi)分布呈單層六角密堆積結(jié)構(gòu)的空氣孔洞。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種復(fù)合光子晶體結(jié)構(gòu)閃爍體,其特征在于,所述的光子晶體層采用以下方法制備得到:
1)采用自組裝方法形成單層聚苯乙烯微球陣列;
2)在其表面共形沉積高折射率TiO2層,沉積厚度介于100-300nm;
3)采用加熱蒸發(fā)的方法去除聚苯乙烯微球,獲得具有周期性的空氣孔洞構(gòu)成的TiO2層光子晶體結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種復(fù)合光子晶體結(jié)構(gòu)閃爍體,其特征在于,相鄰空氣孔洞中心點(diǎn)之間的距離介于0.8λ和2λ之間,其中λ為閃爍發(fā)光的中心波長(zhǎng)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種復(fù)合光子晶體結(jié)構(gòu)閃爍體,其特征在于,所述的閃爍體基底為無(wú)機(jī)閃爍體、塑料閃爍體或玻璃閃爍體。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于同濟(jì)大學(xué),未經(jīng)同濟(jì)大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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