[發(fā)明專利]一種產(chǎn)生色散切倫科夫輻射的裝置以及方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710146605.5 | 申請(qǐng)日: | 2017-03-13 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108572491B | 公開(公告)日: | 2020-04-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉維浩 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G02F1/37 | 分類號(hào): | G02F1/37 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 王寶筠 |
| 地址: | 230026 安*** | 國(guó)省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 產(chǎn)生 色散 切倫科夫 輻射 裝置 以及 方法 | ||
1.一種產(chǎn)生色散切倫科夫輻射的裝置,其特征在于,包括:
基底;
位于基底表面的介質(zhì)層,所述介質(zhì)層的相對(duì)介電常數(shù)大于所述基底的相對(duì)介電常數(shù);
帶電粒子發(fā)射器,所述帶電粒子發(fā)射器用于產(chǎn)生預(yù)設(shè)初速度的帶電粒子;
所述基底與所述介質(zhì)層均為非色散介質(zhì);
當(dāng)所述裝置用于產(chǎn)生色散切倫科夫輻射時(shí),所述帶電粒子發(fā)射器用于使得帶電粒子平行入射所述介質(zhì)層的表面,使得所述初速度的方向平行于所述介質(zhì)層的表面,且使得所述帶電粒子與所述介質(zhì)層的表面具有小于預(yù)設(shè)高度的間隙;所述帶電粒子激勵(lì)起沿所述介質(zhì)層表面平行傳輸?shù)谋砻骐姶挪ǎ凰霰砻骐姶挪ㄔ谒鼋橘|(zhì)層內(nèi)產(chǎn)生色散切倫科夫輻射。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于,所述基底的相對(duì)介電常數(shù)范圍是2-5,包括端點(diǎn)值。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于,所述介質(zhì)層的相對(duì)介電常數(shù)大于20。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于,所述介質(zhì)層的厚度范圍是30nm-50nm,包括端點(diǎn)值。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于,所述預(yù)設(shè)高度小于1μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于,所述基底的厚度大于10倍的所述介質(zhì)層厚度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于,所述帶電粒子的出射能量范圍是40KeV-100KeV,包括端點(diǎn)值。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于,所述基底為玻璃基底、或是陶瓷基底。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于,所述介質(zhì)層為非色散的人工超材料薄膜。
10.一種產(chǎn)生色散切倫科夫輻射的方法,采用如權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的裝置,其特征在于,所述方法包括:
使得帶電粒子以預(yù)設(shè)的初速度經(jīng)過表面設(shè)置有介質(zhì)層的基底上方,所述帶電粒子發(fā)射器用于使得帶電粒子平行入射所述介質(zhì)層的表面,使得所述初速度的方向平行于所述介質(zhì)層的表面,且使得所述帶電粒子與所述介質(zhì)層的表面具有小于預(yù)設(shè)高度的間隙;所述帶電粒子激勵(lì)起沿所述介質(zhì)層表面平行傳輸?shù)谋砻骐姶挪ǎ凰霰砻骐姶挪ㄔ谒鼋橘|(zhì)層內(nèi)產(chǎn)生色散切倫科夫輻射;
其中,所述基底與所述介質(zhì)層均為非色散介質(zhì),所述介質(zhì)層的相對(duì)介電常數(shù)大于所述基底的相對(duì)介電常數(shù)。
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G02F1-00 控制來自獨(dú)立光源的光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如,轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制;非線性光學(xué)
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G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制,即偏轉(zhuǎn)
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