[發明專利]薄膜晶體管陣列面板及其制造方法

在審

• 申請號: 201710146376.7
• 申請日: 2017-03-13
• 公開（公告）號: CN107403805A
• 公開（公告）日: 2017-11-28
• 發明（設計）人: 鄭在祐
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;G02F1/1368;H01L21/77
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司11286
• 代理人: 劉燦強,尹淑梅

本申請要求于2016年3月11日提交到韓國知識產權局的第10-2016-0029842號韓國專利申請的優先權，該韓國專利申請的公開通過引用全部包含于此。

技術領域

本發明涉及一種薄膜晶體管陣列面板以及該薄膜晶體管陣列面板的制造方法。

背景技術

液晶顯示器(LCD)是平板顯示器的最常見類型之一。

LCD包括像素電極、共電極和設置在它們之間的液晶層。LCD向像素電極和共電極施加電壓以重新布置液晶層的液晶分子，從而控制透射的光的量，從而控制圖像的顯示。

像素電極連接到諸如薄膜晶體管的開關元件以接收數據電壓。當形成薄膜晶體管的溝道時，用于制造源電極和漏電極的一些金屬會流入到溝道中，從而污染溝道，從而降低薄膜晶體管的性能。

發明內容

根據本發明的示例性實施例的薄膜晶體管陣列面板包括：基底、設置在基底上的半導體層、與半導體層疊置的源電極和漏電極、與半導體層疊置的柵電極、設置在半導體層與源電極之間的第一歐姆接觸件和設置在半導體層與漏電極之間的第二歐姆接觸件，其中，半導體層包括不與源電極和漏電極疊置的溝道部分，第一歐姆接觸件包括第一邊緣，第二歐姆接觸件包括第二邊緣，其中，第一邊緣和第二邊緣跨過半導體層的溝道部分面對彼此，第一歐姆接觸件的第一邊緣遠離源電極朝向溝道部分突出，第二歐姆接觸件的第二邊緣遠離漏電極朝向溝道部分突出。

第一歐姆接觸件包括第三邊緣，第二歐姆接觸件包括第四邊緣，其中，第三邊緣與源電極的邊緣疊置，第四邊緣與漏電極的邊緣疊置，第一歐姆接觸件的第三邊緣遠離源電極的邊緣的突出小于第一歐姆接觸件的第一邊緣遠離源電極的突出，第二歐姆接觸件的第四邊緣遠離漏電極的邊緣的突出小于第二歐姆接觸件的第二邊緣遠離漏電極的突出。

源電極的第一邊緣與半導體層的第一邊緣具有幾乎相同的形狀，漏電極的第一邊緣與半導體層的第二邊緣具有幾乎相同的形狀。

源電極的第一邊緣和漏電極的第一邊緣可以分別與半導體層的第一邊緣和第二邊緣疊置。

還可以包括設置在源電極的第一邊緣和漏電極的第一邊緣的側面處的保護層，保護層可以不設置在跨過溝道部分面對彼此的源電極的第二邊緣和漏電極的第二邊緣的側面處，保護層可以包括能夠被與源電極和漏電極的蝕刻劑相同的蝕刻劑蝕刻的材料。

保護層可以包括與柵極絕緣層相同的材料。

保護層可以包括與第一歐姆接觸件和第二歐姆接觸件的材料相同的材料。

根據本發明的示例性實施例的用于制造薄膜晶體管陣列面板的方法包括：在基底上沉積半導體層；沉積與半導體層疊置的金屬層，并且在半導體層和金屬層之間有絕緣層；對金屬層進行第一蝕刻；在基底上沉積保護層以在第一蝕刻的金屬層的側面處形成保護構件；對半導體層進行蝕刻；對第一蝕刻的金屬層進行第二蝕刻。

在第一蝕刻的金屬層的側面處形成保護構件之后，可以執行對半導體層的蝕刻；對半導體層進行之后，可以執行對第一蝕刻的金屬層的第二蝕刻。

在金屬層的側面處形成保護構件的步驟以及對半導體層的蝕刻可以包括：沉積保護層之后，對保護層和半導體層一起進行干法蝕刻。

可以在垂直于基底的表面的方向上執行干法蝕刻。

干法蝕刻可使用諸如氬(Ar)或三氯化硼(BCl₃)的蝕刻氣體。

對第一蝕刻的金屬層的第二蝕刻可以暴露半導體層的溝道部分。

所述方法還可以包括形成摻雜雜質的半導體層，對第一蝕刻的金屬層的第二蝕刻可以包括同時對金屬層和摻雜雜質的半導體層進行濕法蝕刻。

保護層的沉積可以包括通過化學氣相沉積(CVD)方法沉積能夠被與源電極和漏電極的蝕刻劑相同的蝕刻劑濕法蝕刻的材料。

保護層的沉積可以包括沉積與摻雜雜質的半導體層的材料相同的材料。

保護層的沉積可以包括沉積與絕緣層的材料相同的材料。

根據本發明的示例性實施例的薄膜晶體管陣列面板包括：柵電極，設置在基底上；漏電極和源電極，與柵電極疊置，其中，半導體層的溝道部分設置在漏電極和源電極之間；第一歐姆接觸件，與漏電極疊置并且遠離漏電極的邊緣朝向溝道部分突出；第二歐姆接觸件，與源電極疊置并且遠離源電極的邊緣朝向溝道部分突出。

附圖說明

圖1是根據本發明的示例性實施例的薄膜晶體管陣列面板的布局圖。

圖2是根據本發明的示例性實施例的圖1的薄膜晶體管陣列面板沿線II-II'截取的剖視圖。