[發明專利]硅深孔刻蝕方法

有效

• 申請號: 201710146151.1
• 申請日: 2017-03-13
• 公開（公告）號: CN108573867B
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發明（設計）人: 胡競之
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H01L21/02;B81C1/00
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張天舒

1.一種硅深孔刻蝕方法，其特征在于，包括：

第一階段，交替進行第一沉積步驟和第一刻蝕步驟至少一次；其中，通過提高所述第一沉積步驟和第一刻蝕步驟中的腔室壓力，降低所述第一刻蝕步驟中的下電極功率，來提高刻蝕選擇比；

第二階段，采用氧氣進行干法清洗工藝，以去除所述第一階段中殘留的沉積物和反應產物；

第三階段，交替進行第二沉積步驟和第二刻蝕步驟至少一次；其中，通過降低所述第二沉積步驟和第二刻蝕步驟中的腔室壓力，提高所述第二刻蝕步驟中的下電極功率，來獲得所需的形貌和刻蝕深度。

2.如權利要求1所述的硅深孔刻蝕方法，其特征在于，所述第一沉積步驟和第一刻蝕步驟中的腔室壓力的取值范圍在40～80mT。

3.如權利要求2所述的硅深孔刻蝕方法，其特征在于，所述第一沉積步驟和第一刻蝕步驟中的腔室壓力的取值范圍在40～70mT。

4.如權利要求1所述的硅深孔刻蝕方法，其特征在于，所述第一刻蝕步驟中的下電極功率的取值范圍在5～30W。

5.如權利要求1-4任意一項所述的硅深孔刻蝕方法，其特征在于，在所述第一階段中，交替進行所述第一沉積步驟和第一刻蝕步驟的循環50次。

6.如權利要求1所述的硅深孔刻蝕方法，其特征在于，所述第二沉積步驟和第二刻蝕步驟中的腔室壓力的取值范圍在20～40mT。

7.如權利要求1所述的硅深孔刻蝕方法，其特征在于，所述第二刻蝕步驟中的下電極功率的取值范圍在40～200W。

8.如權利要求7所述的硅深孔刻蝕方法，其特征在于，所述第二刻蝕步驟中的下電極功率的取值范圍在50～100W。

9.如權利要求1,6-8任意一項所述的硅深孔刻蝕方法，其特征在于，在所述第三階段中，交替進行所述第二沉積步驟和第二刻蝕步驟的循環100次。

10.如權利要求1所述的硅深孔刻蝕方法，其特征在于，所述第二階段中的腔室壓力為60mT；上電極功率為1200W；下電極功率為0W；所述氧氣的氣流量為100sccm。