[發明專利]一種類單晶籽晶的加工方法

在審

• 申請號: 201710145833.0
• 申請日: 2017-03-13
• 公開（公告）號: CN106929908A
• 公開（公告）日: 2017-07-07
• 發明（設計）人: 張澤興;宋麗平;李建俊;賴昌權;黃林;董朝龍;曹軍;許楨
• 申請（專利權）人: 江西旭陽雷迪高科技股份有限公司
• 主分類號: C30B11/14
• 分類號: C30B11/14;C30B29/06
• 代理公司: 南昌新天下專利商標代理有限公司36115
• 代理人: 李炳生

1.一種類單晶籽晶的加工方法，其特征在于，包括以下步驟：

（1）拉制單晶晶棒，用單晶開方機對其去除頭部、尾部、側部區域，使單晶晶棒形成單晶方棒；

（2）將單晶方棒的部分籽晶水平切割成100面籽晶，部分籽晶切割成110面籽晶，并分別加以標識，100面與110面是兩種不同晶向的單晶籽晶；

（3）用斜角機分別對兩種籽晶邊部進行斜切，斜切后的單晶籽晶為兩種梯形結構，分為I類籽晶、II類籽晶；

（4）坩堝內鋪設I類籽晶、II類籽晶，使斜切后的兩種籽晶可以互相貼合成一較為平整的平面，從而對坩堝底部沒有沖擊；

（5）坩堝內的籽晶上面正常鋪設硅料開始鑄錠，鑄錠過程中通過半熔工藝保籽晶，使得工藝過程中硅液從上往下熔化時，可以有效抑制底部氮化硅粉或偶然產生的多晶引晶，從而達到減少晶錠整體位錯增殖的目的，對底部籽晶形成保護，最終鑄錠成類單晶錠。

2.根據權利要求1所述的一種類單晶籽晶的加工方法，其特征在于，所述單晶晶棒尺寸大于或等于8寸，形成的單晶方棒大于或等于140*140*20mm。

3.根據權利要求1所述的一種類單晶籽晶的加工方法，其特征在于，所述斜切角度為30-60°，所得I類籽晶尺寸大于或等于120*80*20mm，II類籽晶尺寸大于或等于120*120*20mm。

4.根據權利要求1所述的一種類單晶籽晶的加工方法，其特征在于，所述坩堝內鋪設I類籽晶、II類籽晶為將I類籽晶共7塊鋪設于坩堝一側，II類籽晶共42塊鋪設于坩堝另一側，兩種籽晶形成7*7陣列共49塊互成30o-60o夾角貼合于坩堝底部中央位置做為類單晶晶錠引晶源，鋪設完成的籽晶與坩堝側壁之間留有1mm-15mm的間隙。

5.根據權利要求1所述的一種類單晶籽晶的加工方法，其特征在于，所述半熔工藝保籽晶的平均長晶速度控制在0.8-1.2cm/h。