[發(fā)明專利]經(jīng)封裝裝置以及形成經(jīng)封裝裝置的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710145182.5 | 申請(qǐng)日: | 2017-03-13 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107731776B | 公開(公告)日: | 2022-11-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 普翰屏;李孝文 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L23/498 | 分類號(hào): | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司: | 南京正聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32243 | 代理人: | 顧伯興 |
| 地址: | 中國臺(tái)灣新竹科*** | 國省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 封裝 裝置 以及 形成 方法 | ||
1.一種經(jīng)封裝裝置,其特征在于,包括:
第一介電層,包含至少一導(dǎo)電線;
第二介電層,形成于所述第一介電層之上,并包括集成電路裝置襯底及從所述第一介電層延伸且穿過所述第二介電層的通孔;以及
第三介電層,形成于所述第二介電層之上,并包括延伸穿過所述第三介電層的導(dǎo)電柱,
其中所述第二介電層的所述通孔安置于所述第三介電層中的所述導(dǎo)電柱與所述第一介電層中的所述至少一導(dǎo)電線之間并電耦合所述導(dǎo)電柱與所述至少一導(dǎo)電線,且所述導(dǎo)電柱遠(yuǎn)離所述第二介電層的表面與所述第三介電層遠(yuǎn)離所述第二介電層的表面共平面,
且其中所述第一介電層、所述第二介電層以及所述第三介電層分別包含于單一經(jīng)封裝裝置中。
2.如權(quán)利要求1所述的經(jīng)封裝裝置,其特征在于,所述導(dǎo)電柱被配置為所述經(jīng)封裝裝置的電觸點(diǎn)。
3.如權(quán)利要求1所述的經(jīng)封裝裝置,其特征在于,所述導(dǎo)電柱及所述第二介電層的所述通孔的材料包含銅。
4.如權(quán)利要求1所述的經(jīng)封裝裝置,其特征在于,所述第二介電層包含以下中的至少一者:環(huán)氧樹脂模制化合物材料、模制底部填充材料、味之素增層膜材料、味之素增層膜系材料、樹脂材料或其組合。
5.如權(quán)利要求1所述的經(jīng)封裝裝置,其特征在于,所述第三介電層包含以下中的至少一者:聚酰亞胺、聚苯并惡唑、聚苯并惡唑系介電材料、苯環(huán)丁烷、苯環(huán)丁烷系介電材料或其組合。
6.如權(quán)利要求1所述的經(jīng)封裝裝置,其特征在于,所述至少一導(dǎo)電線用以電耦合所述集成電路裝置襯底與所述第二介電層的所述通孔。
7.如權(quán)利要求1所述的經(jīng)封裝裝置,其特征在于,還包括:
至少一個(gè)焊料觸點(diǎn),安置于所述第一介電層的表面上,所述表面相對(duì)于 所述第二介電層安置于 所述第一介電層的另一表面。
8.如權(quán)利要求7所述的經(jīng)封裝裝置,其特征在于,還包括:
載體襯底,通過所述至少一個(gè)焊料觸點(diǎn)而耦合至所述經(jīng)封裝裝置。
9.一種經(jīng)封裝裝置,其特征在于,包括:
封裝件,包括:
第一焊料觸點(diǎn);
第一重布線層,形成于所述第一焊料觸點(diǎn)之上;
第一介電層,形成于所述第一重布線層之上,包括第一裝置襯底及從所述第一重布線層延伸且穿過所述第一介電層的第一通孔;以及
第二介電層,形成于所述第一介電層之上,包括延伸穿過整個(gè)所述第二介電層的第一導(dǎo)電柱,且所述第一導(dǎo)電柱遠(yuǎn)離所述第一介電層的表面與所述第二介電層遠(yuǎn)離所述第一介電層的表面共平面;以及
扇出型結(jié)構(gòu),包括:
第二重布線層,形成于所述封裝件的所述第二介電層之上;以及
第三介電層,形成于所述第二重布線層之上,包括第二裝置襯底,
其中所述第二裝置襯底通過所述第二重布線層、所述第一導(dǎo)電柱、所述第一介電層的所述第一通孔、及所述第一重布線層而電耦合至所述第一焊料觸點(diǎn)。
10.如權(quán)利要求9所述的經(jīng)封裝裝置,其特征在于,所述扇出型結(jié)構(gòu)的所述第三介電層還包括從所述第二重布線層延伸且穿過所述第三介電層的第二通孔。
11.如權(quán)利要求10所述的經(jīng)封裝裝置,其特征在于,所述扇出型結(jié)構(gòu)還包括安置于所述第三介電層之上的第四介電層,且其中所述第四介電層包括延伸穿過所述第四介電層的第二導(dǎo)電柱。
12.如權(quán)利要求11所述的經(jīng)封裝裝置,其特征在于,所述第二導(dǎo)電柱用以電耦合所述第二通孔與所述第二重布線層。
13.如權(quán)利要求12所述的經(jīng)封裝裝置,其特征在于,所述第一導(dǎo)電柱及所述第二導(dǎo)電柱的材料各包含銅。
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