[發(fā)明專利]液處理裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710145062.5 | 申請日: | 2017-03-10 |
| 公開(公告)號: | CN107240566B | 公開(公告)日: | 2021-12-14 |
| 發(fā)明(設計)人: | 毛利信彥;上塘真吾;槍光正和;廣瀨虎瑠;浦智仁 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/683;H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 | ||
1.一種液處理裝置,其特征在于,
該液處理裝置具備:
傾斜部,其配置于基板的下方,具有從所述基板的外側朝向所述基板的內側下傾且沿著所述基板的周向延伸的傾斜面;
多個支承構件,其相對于所述傾斜面突出地設置,從下方支承所述基板;
處理液供給部,其向支承到所述多個支承構件的所述基板的上表面供給處理液;
以及旋轉機構,其使所述傾斜部旋轉,
所述多個支承構件具有從所述基板的外側朝向所述基板的內側延伸的細長形狀,
該液處理裝置具備從側方把持所述基板的多個把持部,
所述傾斜部具備將所述傾斜面的外周緣中的與所述多個把持部相對應的各部分去除而成的多個第1缺口部,
在所述第1缺口部的兩側設置有所述多個支承構件中的兩個。
2.根據權利要求1所述的液處理裝置,其特征在于,
該液處理裝置具備使所述基板向上方抬起而使所述基板自所述多個支承構件分離開的多個升降銷,
所述傾斜部具備將所述傾斜面的外周緣中的與所述多個升降銷相對應的各部分去除而成的多個第2缺口部,
在所述第2缺口部的兩側設置有所述多個支承構件中的兩個。
3.根據權利要求2所述的液處理裝置,其特征在于,
所述傾斜部具備墊高部,該墊高部與所述第2缺口部和設置于所述第2缺口部的兩側的兩個所述支承構件連接,對位于比所述第2缺口部靠徑向內側的位置的部分進行墊高。
4.根據權利要求1或2所述的液處理裝置,其特征在于,
所述多個支承構件沿著所述基板的徑向延伸。
5.根據權利要求1或2的液處理裝置,其特征在于,
所述多個支承構件具有使長度方向上的兩端部中的位于所述基板的徑向外側的端部比位于所述基板的徑向內側的端部向由所述旋轉機構帶動的所述基板旋轉的旋轉方向后方側偏移而成的形狀。
6.根據權利要求1或2所述的液處理裝置,其特征在于,
該液處理裝置具備利用刷子對支承到所述多個支承構件的所述基板的上表面進行清洗的刷子清洗部,
所述多個支承構件從下方支承使圖案形成面朝向下方的所述基板。
7.根據權利要求1所述的液處理裝置,其特征在于,
該液處理裝置具備:
多個升降銷,其將所述基板向上方抬起而使所述基板自所述多個支承構件分離開;
氣體供給部,其從比所述傾斜部靠徑向內側的位置向所述基板的下表面供給氣體;
控制部,其在使用所述處理液供給部來對所述基板進行了處理之后,在使用所述多個升降銷而使所述基板自所述多個支承構件分離開的狀態(tài)下,使用所述氣體供給部而向所述基板的下表面供給氣體。
8.根據權利要求1所述的液處理裝置,其特征在于,
所述多個支承構件支承所述基板的周緣部、并具有以與所述傾斜部的所述傾斜面相同的角度傾斜的傾斜面。
9.根據權利要求1所述的液處理裝置,其特征在于,
所述傾斜部設于旋轉板,
所述旋轉板具備第1平坦部,
所述傾斜部與所述第1平坦部的外周緣連接地配置。
10.根據權利要求9所述的液處理裝置,其特征在于,
所述旋轉板具備第2平坦部,
所述第2平坦部具有與所述傾斜面的外周緣連接的平坦面。
11.根據權利要求10所述的液處理裝置,其特征在于,
所述旋轉板連接于所述旋轉機構。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





