[發(fā)明專利]光學(xué)探測器及其制備方法、指紋識別傳感器、顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710144824.X
• 申請日: 2017-03-13
• 公開（公告）號: CN108573983B
• 公開（公告）日: 2021-08-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫建明;寧策;張文林
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: H01L27/144
• 分類號: H01L27/144;H01L21/82;G06K9/00
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張?zhí)焓?/td>

1.一種光學(xué)探測器，其特征在于，包括：依次層疊設(shè)置的第一電極、光電轉(zhuǎn)換層、第二電極、第一絕緣層和第三電極的層疊結(jié)構(gòu)；所述光學(xué)探測器還包括：有源層、柵絕緣層和柵極；

所述有源層與所述第一電極和所述第二電極的其中一個(gè)連接，所述有源層還與第三電極連接；所述第一電極、所述光電轉(zhuǎn)換層和所述第二電極形成光電轉(zhuǎn)換單元；與所述有源層連接的所述第一電極或所述第二電極、所述第三電極分別作為開關(guān)管的源極和漏極；

所述柵絕緣層設(shè)置在所述有源層上；

所述柵極設(shè)置在所述柵絕緣層上；

所述有源層與所述第一電極和所述第三電極電連接；

所述光學(xué)探測器還包括：

第二絕緣層，設(shè)置在所述有源層和所述光電轉(zhuǎn)換層、所述第二電極之間；所述第二絕緣層設(shè)置在所述光電轉(zhuǎn)換層的側(cè)壁和所述第二電極的側(cè)壁上；所述有源層形成在所述第一電極的上表面邊緣區(qū)域、所述第二絕緣層和所述第三電極上；

或者，所述有源層與所述第二電極和所述第三電極電連接，所述有源層形成在所述第二電極的側(cè)壁、所述第一絕緣層的側(cè)壁和所述第三電極上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)探測器，其特征在于，在所述層疊結(jié)構(gòu)的相對兩側(cè)均設(shè)置有所述有源層、所述柵絕緣層和所述柵極。

3.一種光學(xué)探測器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1，在襯底上制備依次層疊設(shè)置的第一電極、光電轉(zhuǎn)換層、第二電極、第一絕緣層和第三電極；

S2，制備有源層，所述有源層與所述第一電極和所述第三電極電連接且與所述光電轉(zhuǎn)換層和所述第二電極絕緣設(shè)置；所述第一電極、所述光電轉(zhuǎn)換層和所述第二電極形成光電轉(zhuǎn)換單元；所述第一電極和所述第三電極分別形成開關(guān)管的源極和漏極；

S3，在所述有源層上制備柵絕緣層；

S4，在所述柵絕緣層上制備柵極。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光學(xué)探測器的制備方法，其特征在于，步驟S2包括：

在所述光電轉(zhuǎn)換層的側(cè)壁和所述第二電極的側(cè)壁上形成第二絕緣層；

在所述第一電極的上表面邊緣區(qū)域、所述第二絕緣層和所述第三電極上形成所述有源層。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光學(xué)探測器的制備方法，其特征在于，所述步驟S1包括：

在所述襯底上形成第三電極材料層、第一絕緣層材料層、第二電極材料層、光電轉(zhuǎn)換材料層和第一電極材料層，采用一次構(gòu)圖工藝形成所述第三電極、第一絕緣層、第二電極、光電轉(zhuǎn)換層和第一電極。

6.一種光學(xué)探測器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1，在襯底上制備依次層疊設(shè)置的第一電極、光電轉(zhuǎn)換層、第二電極、第一絕緣層和第三電極；

S2，制備有源層，所述有源層與所述第二電極和所述第三電極電連接且與所述光電轉(zhuǎn)換層和所述第一電極絕緣設(shè)置；所述第一電極、所述光電轉(zhuǎn)換層和所述第二電極形成光電轉(zhuǎn)換單元；所述第二電極和所述第三電極分別形成開關(guān)管的源極和漏極；

S3，在所述有源層上制備柵絕緣層；

S4，在所述柵絕緣層上制備柵極。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光學(xué)探測器的制備方法，其特征在于，所述步驟S2包括：

在所述第二電極的側(cè)壁、所述第一絕緣層的側(cè)壁和所述第三電極上形成所述有源層。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光學(xué)探測器的制備方法，其特征在于，所述步驟S1包括：

在所述襯底上形成第三電極材料層、第一絕緣層材料層、第二電極材料層、光電轉(zhuǎn)換材料層和第一電極材料層，采用一次構(gòu)圖工藝形成所述第三電極、第一絕緣層、第二電極、光電轉(zhuǎn)換層和第一電極。

9.一種指紋識別傳感器，其特征在于，包括權(quán)利要求1-2任意一項(xiàng)所述的光學(xué)探測器。

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求9所述的指紋識別傳感器。