[發明專利]制造半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201710142850.9
• 申請日: 2017-03-10
• 公開（公告）號: CN108573860B
• 公開（公告）日: 2023-10-03
• 發明（設計）人: 洪錫九;姜美榮;李孝圣;趙慶容;金寶螺;金惠智;趙先覺
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 金擬粲

1.用于制造半導體器件的方法，所述方法包括：

形成包括交替地且重復地堆疊在基底上的絕緣層和犧牲層的堆疊結構；

在所述堆疊結構上順序地形成第一下部層和第一光刻膠圖案；

使用所述第一光刻膠圖案作為蝕刻掩模蝕刻所述第一下部層以形成第一下部圖案；和

使用所述第一下部圖案作為蝕刻掩模蝕刻所述堆疊結構的第一部分以形成階梯式結構，

其中所述第一下部層包括基于酚醛清漆的有機聚合物，并且

其中所述第一光刻膠圖案包括包含硅的聚合物。

2.權利要求1的方法，其中所述包含硅的聚合物包括由以下化學式5表示的單元：

[化學式5]

其中“R₁₀”表示氫、C1-C10烷基、C1-C10烯基、C1-C10炔基、C6-C10芳基、金剛烷基、C1-C5烷基-金剛烷基、或C2-C6內酯基團，和“t”為1-10的整數，和

其中所述包含硅的聚合物具有1,000至100,000的重均分子量。

3.權利要求1的方法，其中所述第一光刻膠圖案中的硅的含量在10重量％至40重量％的范圍內。

4.權利要求1的方法，其中所述第一下部層進一步包括交聯劑，所述交聯劑包括由以下化學式1表示的化合物，

[化學式1]

其中R₄OOC(CX₂)_n-、R₅-和R₆OOC(CX₂)_m-的至少兩個為不同的酸或不同的酯基團，“R₄”、“R₅”、“R₆”和“X”各自獨立地表示氫或非氫取代基，且“n”和“m”各自為大于0的整數，和

其中所述非氫取代基為取代或未取代的C1-C10烷基、取代或未取代的C2-C10烯基或C2-C10炔基、取代或未取代的C1-C10烷?；?、取代或未取代的C1-C10烷氧基、環氧基、取代或未取代的C1-C10烷硫基、取代或未取代的C1-C10烷基亞磺酰基、取代或未取代的C1-C10烷基磺酰基、取代或未取代的羧基、取代或未取代的-COO-(C1-C8烷基)、取代或未取代的C6-C12芳基、或取代或未取代的5至10元的雜脂環族基團或雜芳基基團。

5.權利要求1的方法，其中形成階梯式結構包括重復工藝循環，

其中所述工藝循環包括：

使用所述第一下部圖案作為蝕刻掩模蝕刻由所述第一下部圖案暴露的絕緣層的至少一個；

蝕刻在所述絕緣層的至少一個下的犧牲層的至少一個；和

修整所述第一下部圖案以減少所述第一下部圖案的寬度和高度。

6.權利要求5的方法，所述第一下部圖案的修整包括：

使所述寬度減少第一長度，和

使所述高度減少第二長度，

其中所述第二長度大于所述第一長度且小于所述第一長度的1.5倍。

7.權利要求5的方法，其中重復工藝循環直至蝕刻所述堆疊結構的最下面的絕緣層和最下面的犧牲層。

8.權利要求1的方法，其中所述基底包括單元陣列區、與所述單元陣列區相鄰的第二接觸區、和與所述單元陣列區間隔開的第一接觸區，其中所述第二接觸區設置在所述單元陣列區和所述第一接觸區之間，

其中堆疊結構的經蝕刻的第一部分設置在所述第二接觸區中，

所述用于制造半導體器件的方法進一步包括：

在所述堆疊結構上形成包括基于酚醛清漆的有機聚合物的第二下部圖案；和

使用所述第二下部圖案作為蝕刻掩模蝕刻所述第一接觸區中的堆疊結構以在所述第一接觸區中形成階梯式結構。