[發明專利]半導體基片處理微腔室機械支撐裝置有效
| 申請號: | 201710142347.3 | 申請日: | 2017-03-10 |
| 公開(公告)號: | CN108573908B | 公開(公告)日: | 2020-09-08 |
| 發明(設計)人: | 溫子瑛;王吉;王致凱 | 申請(專利權)人: | 無錫華瑛微電子技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/687 | 分類號: | H01L21/687 |
| 代理公司: | 無錫中瑞知識產權代理有限公司 32259 | 代理人: | 倪歆晨 |
| 地址: | 214135 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 處理 微腔室 機械 支撐 裝置 | ||
1.半導體基片處理微腔室機械支撐裝置,包括:第一支撐單元、可移動單元、第二支撐單元、第三支撐單元及多根支柱;其特征在于:
所述第一支撐單元包括:水平設置的第一支撐板,及固定設置在第一支撐板上方的支撐環;
所述可移動單元通過所述第一支撐單元支撐,包括:
驅動裝置;
移動座:所述移動座呈圓柱狀,移動座的上部和下部分別設有環狀的上凹環及下凹環,所述移動座的下凹環與所述支撐環互相可滑動地套合,形成一個套合空間,所述驅動裝置設置在所述套合空間內,且分別與所述移動座的下方以及第一支撐板的上方固定連接;所述移動座、支撐環、以及移動座的上凹環和下凹環的圓心同軸;
以及下腔室:所述下腔室設置在移動座的上凹環內;
所述第二支撐單元包括:水平設置的第二支撐板,所述第二支撐板與第一支撐板之間通過所述多根支柱固定連接;
及上腔室,所述上腔室通過開設在第二支撐板上的穿孔定位且由第二支撐板支撐,所述上腔室的位置與下腔室對應,兩者結構上經過合理設計,上腔室與下腔室接觸時形成處理半導體晶圓的微處理腔;
所述第三支撐單元經結構設計以施加壓力至所述上腔室以水平且良好地定位上腔室,包括:第三支撐板,所述第三支撐板通過所述多根支柱固定連接,且具有施加壓力至所述上腔室的多個螺釘、加強結構或可移動零件。
2.根據權利要求1所述的半導體基片處理微腔室機械支撐裝置,其特征在于:所述第一支撐單元還包括多個第一支撐梁,所述第二支撐單元還包括多個第二支撐梁,所述第三支撐單元還包括多個第三支撐梁。
3.根據權利要求2所述的半導體基片處理微腔室機械支撐裝置,其特征在于:所述支撐環通過所述多個第一支撐梁固定設置在第一支撐板上。
4.根據權利要求2所述的半導體基片處理微腔室機械支撐裝置,其特征在于:所述第一支撐板、第二支撐板、第三支撐板分別通過第一支撐梁、第二支撐梁、第三支撐梁與所述多根支柱固定連接。
5.根據權利要求2所述的半導體基片處理微腔室機械支撐裝置,其特征在于:所述半導體基片處理微腔室機械支撐裝置還設有外殼板,所述第一支撐梁和第三支撐梁對稱設有凹槽,使得外殼板能夠插入且固定于凹槽中。
6.根據權利要求1所述的半導體基片處理微腔室機械支撐裝置,其特征在于:所述移動座的上凹環的底部設有漏液槽。
7.根據權利要求6所述的半導體基片處理微腔室機械支撐裝置,其特征在于:所述漏液槽中設有漏液檢測機構。
8.根據權利要求1-7之一所述的半導體基片處理微腔室機械支撐裝置,其特征在于:所述支撐環上表面設有環形防護槽,所述環形防護槽與移動座同軸,且環形防護槽的外徑大于移動座的外徑。
9.根據權利要求8所述的半導體基片處理微腔室機械支撐裝置,其特征在于:所述移動座的下凹環的內壁套合在支撐環上環形防護槽的內徑壁外。
10.根據權利要求8所述的半導體基片處理微腔室機械支撐裝置,其特征在于:所述支撐環的內壁套合在所述移動座的下凹環的外壁外側,所述移動座的外壁還設有環形導流沿,所述導流沿高于所述支撐環的上表面;環形防護槽內徑小于所述導流沿外徑,環形防護槽外徑大于所述導流沿外徑。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





