[發(fā)明專利]半導(dǎo)體基片處理微腔室機(jī)械支撐裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710142347.3
• 申請日: 2017-03-10
• 公開（公告）號: CN108573908B
• 公開（公告）日: 2020-09-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 溫子瑛;王吉;王致凱
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫華瑛微電子技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/687
• 分類號: H01L21/687
• 代理公司: 無錫中瑞知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32259
• 代理人: 倪歆晨

1.半導(dǎo)體基片處理微腔室機(jī)械支撐裝置，包括：第一支撐單元、可移動單元、第二支撐單元、第三支撐單元及多根支柱；其特征在于：

所述第一支撐單元包括：水平設(shè)置的第一支撐板，及固定設(shè)置在第一支撐板上方的支撐環(huán)；

所述可移動單元通過所述第一支撐單元支撐，包括：

驅(qū)動裝置；

移動座：所述移動座呈圓柱狀，移動座的上部和下部分別設(shè)有環(huán)狀的上凹環(huán)及下凹環(huán)，所述移動座的下凹環(huán)與所述支撐環(huán)互相可滑動地套合，形成一個套合空間，所述驅(qū)動裝置設(shè)置在所述套合空間內(nèi)，且分別與所述移動座的下方以及第一支撐板的上方固定連接；所述移動座、支撐環(huán)、以及移動座的上凹環(huán)和下凹環(huán)的圓心同軸；

以及下腔室：所述下腔室設(shè)置在移動座的上凹環(huán)內(nèi)；

所述第二支撐單元包括：水平設(shè)置的第二支撐板，所述第二支撐板與第一支撐板之間通過所述多根支柱固定連接；

及上腔室，所述上腔室通過開設(shè)在第二支撐板上的穿孔定位且由第二支撐板支撐，所述上腔室的位置與下腔室對應(yīng)，兩者結(jié)構(gòu)上經(jīng)過合理設(shè)計，上腔室與下腔室接觸時形成處理半導(dǎo)體晶圓的微處理腔；

所述第三支撐單元經(jīng)結(jié)構(gòu)設(shè)計以施加壓力至所述上腔室以水平且良好地定位上腔室，包括：第三支撐板，所述第三支撐板通過所述多根支柱固定連接，且具有施加壓力至所述上腔室的多個螺釘、加強(qiáng)結(jié)構(gòu)或可移動零件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體基片處理微腔室機(jī)械支撐裝置，其特征在于：所述第一支撐單元還包括多個第一支撐梁，所述第二支撐單元還包括多個第二支撐梁，所述第三支撐單元還包括多個第三支撐梁。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體基片處理微腔室機(jī)械支撐裝置，其特征在于：所述支撐環(huán)通過所述多個第一支撐梁固定設(shè)置在第一支撐板上。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體基片處理微腔室機(jī)械支撐裝置，其特征在于：所述第一支撐板、第二支撐板、第三支撐板分別通過第一支撐梁、第二支撐梁、第三支撐梁與所述多根支柱固定連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體基片處理微腔室機(jī)械支撐裝置，其特征在于：所述半導(dǎo)體基片處理微腔室機(jī)械支撐裝置還設(shè)有外殼板，所述第一支撐梁和第三支撐梁對稱設(shè)有凹槽，使得外殼板能夠插入且固定于凹槽中。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體基片處理微腔室機(jī)械支撐裝置，其特征在于：所述移動座的上凹環(huán)的底部設(shè)有漏液槽。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體基片處理微腔室機(jī)械支撐裝置，其特征在于：所述漏液槽中設(shè)有漏液檢測機(jī)構(gòu)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-7之一所述的半導(dǎo)體基片處理微腔室機(jī)械支撐裝置，其特征在于：所述支撐環(huán)上表面設(shè)有環(huán)形防護(hù)槽，所述環(huán)形防護(hù)槽與移動座同軸，且環(huán)形防護(hù)槽的外徑大于移動座的外徑。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體基片處理微腔室機(jī)械支撐裝置，其特征在于：所述移動座的下凹環(huán)的內(nèi)壁套合在支撐環(huán)上環(huán)形防護(hù)槽的內(nèi)徑壁外。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體基片處理微腔室機(jī)械支撐裝置，其特征在于：所述支撐環(huán)的內(nèi)壁套合在所述移動座的下凹環(huán)的外壁外側(cè)，所述移動座的外壁還設(shè)有環(huán)形導(dǎo)流沿，所述導(dǎo)流沿高于所述支撐環(huán)的上表面；環(huán)形防護(hù)槽內(nèi)徑小于所述導(dǎo)流沿外徑，環(huán)形防護(hù)槽外徑大于所述導(dǎo)流沿外徑。