[發明專利]一種陣列基板，陣列基板的像素電極充電方法和顯示裝置

有效

• 申請號: 201710141689.3
• 申請日: 2017-03-10
• 公開（公告）號: CN107068690B
• 公開（公告）日: 2020-02-21
• 發明（設計）人: 劉冬妮;陳小川;楊盛際;王磊;岳晗;付杰;盧鵬程;方正;肖麗
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;G02F1/1362
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 11319
• 代理人: 趙娟

本申請實施例提供了一種陣列基板，包括：多根柵極掃描線、多根數據掃描線，多個像素結構，每個像素結構包括：一像素電極，與每個像素電極連接的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管；屬于同一像素結構的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管分別與相鄰的兩根柵極掃描線連接；當對柵極掃描線輸入信號電壓時，與該柵極掃描線連接的多個像素結構的第一薄膜晶體管或第二薄膜晶體管被導通，數據掃描線分別通過被導通的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，對相應的像素電極充電。本申請實施例中，像素結構的像素電極可以在相鄰的兩根柵極掃描線的信號電壓持續時間內進行充電，增長了對像素電極的充電時間，提升了充電率。

技術領域

本申請涉及顯示設備技術領域，特別是涉及一種陣列基板，一種陣列基板的像素電極充電方法和顯示裝置。

背景技術

現有的薄膜晶體管TFT(Thin Film Transistor)陣列基板包括：柵極掃描線、數據掃描線、與每根柵極掃描線和數據掃描線連接的薄膜晶體管，與每個薄膜晶體管TFT連接的像素電極。當對一柵極掃描線輸入信號電壓時，與該柵極掃描線連接的薄膜晶體管被導通，數據掃描線的充電電壓通過被導通的薄膜晶體管對相應的像素電極進行充電。

如圖1所示為現有的薄膜晶體管陣列基板的示意圖。其中，一個像素電極只通過一個薄膜晶體管進行充電。如果薄膜晶體管在生產工藝中有損壞，其對應的像素電極將無法正常充電。在面板中，如果像素電極無法充電將無法使對應的液晶產生偏轉，從而出現壞點。

發明內容

鑒于上述問題，提出了本申請實施例以便提供一種克服上述問題或者至少部分地解決上述問題的一種陣列基板，一種陣列基板的像素電極充電方法和顯示裝置。

為了解決上述問題，本申請實施例公開了一種陣列基板，包括：

多根柵極掃描線、多根數據掃描線，多個像素結構，每個像素結構包括：一像素電極，與每個像素電極連接的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管；

屬于同一像素結構的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管分別與相鄰的兩根柵極掃描線連接；

當對柵極掃描線輸入信號電壓時，與該柵極掃描線連接的多個像素結構的第一薄膜晶體管或第二薄膜晶體管被導通，數據掃描線分別通過被導通的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，對相應的像素電極充電。

優選的，屬于同一像素結構的第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管與同一數據掃描線連接。

優選的，屬于同一像素結構的第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管與相鄰的數據掃描線連接。

優選的，行相鄰的兩個像素結構的第一薄膜晶體管分別與相鄰的數據掃描線連接，行相鄰的兩個像素結構的第二薄膜晶體管分別與相鄰的數據掃描線連接。

優選的，列相鄰的兩個像素結構的第一薄膜晶體管與同一數據掃描線連接，列相鄰的兩個像素結構的第二薄膜晶體管與同一數據掃描線連接。

本申請實施例還公開了一種陣列基板的像素電極充電方法，其中，所述陣列基板包括：多根柵極掃描線、多根數據掃描線，多個像素結構，每個像素結構包括：一像素電極，與每個像素電極連接的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管；屬于同一像素結構的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管分別與相鄰的兩根柵極掃描線連接；

所述的方法包括：

逐根對所述柵極掃描線輸入信號電壓，與柵極掃描線連接的多個像素結構的第一薄膜晶體管或第二薄膜晶體管被導通；

對所述數據掃描線輸入充電電壓；

通過與所述數據掃描線連接且導通的各個像素結構的第一薄膜晶體管或第二薄膜晶體管，基于所述充電電壓，對相應的像素電極充電。

優選的，屬于同一像素結構的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，與同一數據掃描線相連接；