[發明專利]MEMS器件和MEMS真空擴音器

有效

• 申請號: 201710141204.0
• 申請日: 2017-03-10
• 公開（公告）號: CN107176584B
• 公開（公告）日: 2019-12-03
• 發明（設計）人: A.德赫;G.梅茨格-布呂克爾;J.施特拉澤;A.瓦爾特
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: B81B3/00
• 分類號: B81B3/00;H04R19/04
• 代理公司: 72001 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 孫鵬;杜荔南<國際申請>=<國際公布>=

1.一種MEMS器件，包括：

第一膜元件；

第二膜元件，與所述第一膜元件間隔開；

低壓區域，在所述第一膜元件和第二膜元件之間，所述低壓區域具有小于環境壓強的壓強；以及

包括導電層的反電極結構，所述導電層被至少部分地布置在所述低壓區域中或在所述低壓區域中延伸，其中所述導電層包括在所述導電層的第一部分和所述導電層的第二部分之間提供電隔離的分段。

2.根據權利要求1所述的MEMS器件，其中所述導電層的所述分段是在所述導電層中的圓周窄間隙。

3.根據權利要求1所述的MEMS器件，其中所述第一膜元件包括可移置部分和固定部分，其中所述第二膜元件包括可移置部分和固定部分，并且其中所述導電層的所述第一部分布置在所述第一膜元件的所述可移置部分和所述第二膜元件的所述可移置部分之間。

4.根據權利要求1所述的MEMS器件，其中所述導電層的所述第一部分是所述導電層的中心部分，并且其中所述導電層的所述第二部分是所述導電層的邊緣部分。

5.根據權利要求1所述的MEMS器件，其中所述導電層的所述第二部分電耦合到所述第一膜元件和所述第二膜元件。

6.根據權利要求1所述的MEMS器件，其中所述第一膜元件和第二膜元件被機械地耦合。

7.根據權利要求1所述的MEMS器件，其中所述第一膜元件和第二膜元件被電連接。

8.根據權利要求1所述的MEMS器件，其中一個或多個柱狀物機械地耦合在所述第一膜元件和所述第二膜元件之間。

9.根據權利要求1所述的MEMS器件，其中在所述低壓區域中的壓強實質上是真空。

10.根據權利要求1所述的MEMS器件，其中所述低壓區域在密封腔內，所述密封腔形成在所述第一膜元件和所述第二膜元件之間。

11.根據權利要求1所述的MEMS器件，其中所述反電極結構包括另一導電層，其中另一分段提供在所述另一導電層的第一部分和所述另一導電層的第二部分之間的電隔離，并且其中所述另一導電層的所述第一部分與所述導電層的所述第一部分電隔離。

12.根據權利要求11所述的MEMS器件，其中一個或多個柱狀物機械地耦合在所述第一膜元件和第二膜元件之間，并且其中所述一個或多個柱狀物是導電的以用于在所述第一膜元件和第二膜元件之間提供機械和電耦合。

13.根據權利要求12所述的MEMS器件，其中所述另一導電層的所述第一部分是所述另一導電層的中心部分，并且其中所述另一導電層的所述第二部分是所述另一導電層的邊緣部分。

14.根據權利要求12所述的MEMS器件，其中所述第一膜元件包括可移置部分和固定部分，其中所述第二膜元件包括可移置部分和固定部分，其中所述導電層的所述第一部分面向所述第一膜元件的所述可移置部分，并且其中所述另一導電層的所述第一部分面向所述第二膜元件的所述可移置部分。

15.根據權利要求12所述的MEMS器件，其中所述導電層的所述第二部分電連接到所述第一膜元件，并且其中所述另一導電層的所述第二部分電連接到所述第二膜元件。

16.根據權利要求12所述的MEMS器件，其中所述另一導電層的所述分段是在所述另一導電層中的圓周窄間隙。