[發明專利]一種多輸入高速CMOS緩沖器電路

有效

• 申請號: 201710141182.8
• 申請日: 2017-03-10
• 公開（公告）號: CN107070447B
• 公開（公告）日: 2020-11-10
• 發明（設計）人: 段杰斌;袁慶;何學紅;皮常明;溫建新
• 申請（專利權）人: 上海集成電路研發中心有限公司;成都微光集電科技有限公司
• 主分類號: H03K19/0185
• 分類號: H03K19/0185;H03K17/693
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;陳慧弘

1.一種多輸入高速CMOS緩沖器電路，其特征在于，包括電壓轉電流模塊、多路選通器模塊和電流轉電壓模塊，所述多路選通器模塊的兩側分別連接所述電壓轉電流模塊的一側和所述電流轉電壓模塊的一側，并且所述電壓轉電流模塊的另一側用于輸入電壓，所述電流轉電壓模塊的另一側用于輸出電壓；所述電壓轉電流模塊用于將多路輸入電壓轉換為電流信號；所述多路選通器模塊用于連通所述電壓轉電流模塊和電流轉電壓模塊；所述電流轉電壓模塊將電流信號轉換為電壓信號并輸出；所述電流轉電壓模塊包括M4晶體管、M5晶體管、M6晶體管、M7晶體管、M8晶體管、M9晶體管、M10晶體管、M11晶體管；所述M4晶體管、M5晶體管的柵極相互連接，所述M6晶體管、M7晶體管的柵極相互連接，所述M8晶體管、M9晶體管的柵極相互連接，所述M10晶體管、M11晶體管的柵極相互連接；所述M4晶體管的漏極與所述M6晶體管的源極相連于同一節點，該節點為所述電流轉電壓模塊的正向輸入端，所述M5晶體管的漏極與所述M7晶體管的源極相連于同一節點，該節點為所述電流轉電壓模塊的負向輸入端，所述M8晶體管的漏極、所述M6晶體管的漏極、所述M10晶體管的柵極、所述M11晶體管的柵極相互連接于同一節點；所述M9晶體管的漏極與所述M7晶體管的漏極相連于同一節點，該節點為所述電流轉電壓模塊的輸出端；所述M10晶體管的漏極與所述M8晶體管的源極相連，所述M11晶體管的漏極與所述M9晶體管的源極相連；所述M4晶體管、M5晶體管的源極與電路中的電源正極相連；所述M10晶體管、M11晶體管的源極與電路中的電源負極相連。

2.根據權利要求1所述的一種多輸入高速CMOS緩沖器電路，其特征在于，所述電壓轉電流模塊由N個相同的電壓轉電流單元組成，所述N個電壓轉電流單元的輸入電壓分別對應N個輸入電壓；N為大于等于2的整數。

3.根據權利要求2所述的一種多輸入高速CMOS緩沖器電路，其特征在于，所述電壓轉電流單元包括M1晶體管、M2晶體管和M3晶體管；所述M1晶體管的柵極與所述電壓轉電流單元對應的輸入電壓連接，所述M1晶體管的漏極作為所述電壓轉電流單元的正向輸出端，所述M2晶體管的柵極與所述電流轉電壓模塊的輸出端相連，所述M2晶體管的漏極作為所述電壓轉電流單元的負向輸出端，所述電壓轉電流單元的M1晶體管、M2晶體管的源極與所述M3晶體管的漏極相連，所述M3晶體管作為一個電流源，其柵極與偏置電壓相連，其源極與電路中的電源負極相連。

4.根據權利要求3所述的一種多輸入高速CMOS緩沖器電路，其特征在于，所述多路選通器模塊由2N個開關構成，所述電壓轉電流模塊中第1，2，3……N個電壓轉電流單元的正向輸出端分別與所述多路選通器模塊中第1，3，5……2N-1個開關的一端相連，所述電壓轉電流模塊中第1，2，3……N個電壓轉電流單元的負向輸出端分別與所述多路選通器模塊中第2，4，6……2N個開關的一端相連。

5.根據權利要求4所述的一種多輸入高速CMOS緩沖器電路，其特征在于，所述2N個開關中第1，3，5……2N-1個開關的另一端相互連接并且與所述電流轉電壓模塊的一個輸入端相連，第2，4，6……2N個開關的另一端相互連接并且與所述電流轉電壓模塊的另一個輸入端相連。

6.根據權利要求1所述的一種多輸入高速CMOS緩沖器電路，其特征在于，所述電流轉電壓模塊的輸出端為一種多輸入高速CMOS緩沖器電路的輸出端。