[發明專利]半導體存儲裝置有效
| 申請號： | 201710141118.X | 申請日： | 2017-03-10 |
| 公開（公告）號： | CN107871523B | 公開（公告）日： | 2022-03-04 |
| 發明（設計）人： | 皆川絋惠;白川政信 | 申請（專利權）人： | 鎧俠股份有限公司 |
| 主分類號： | G11C16/10 | 分類號： | G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 楊林勛 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 存儲 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體存儲裝置，其特征在于具備：
第1存儲單元；
第2存儲單元；
第1字線，連接于所述第1存儲單元；及
第2字線，連接于所述第2存儲單元；且
對所述第1字線施加第1編程電壓，在施加所述第1編程電壓之后，對所述第2字線施加小于所述第1編程電壓的第2編程電壓，
在施加所述第2編程電壓之后，對所述第1字線施加第1驗證電壓，
在施加所述第1驗證電壓之后，對所述第2字線施加小于所述第1驗證電壓的第2驗證電壓；
所述第1字線及所述第2字線是互不相同的字線。
2.一種半導體存儲裝置，其特征在于具備：
第1存儲單元；
第2存儲單元；
第1字線，連接于所述第1存儲單元；及
第2字線，連接于所述第2存儲單元；且
對所述第2字線施加第1編程電壓，在施加所述第1編程電壓之后，對所述第1字線施加大于所述第1編程電壓的第2編程電壓，
在施加所述第2編程電壓之后，對所述第2字線施加第1驗證電壓，
在施加所述第1驗證電壓之后，對所述第1字線施加大于所述第1驗證電壓的第2驗證電壓；且
所述第1字線及所述第2字線是互不相同的字線。
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