[發明專利]使用雜基加熱器的光環形諧振器制造后微調的裝置和方法有效
| 申請號: | 201710140927.9 | 申請日: | 2017-03-10 |
| 公開(公告)號: | CN107179616B | 公開(公告)日: | 2021-11-30 |
| 發明(設計)人: | 安德魯·皮特·耐特斯 | 申請(專利權)人: | 拉諾沃斯公司 |
| 主分類號: | G02F1/01 | 分類號: | G02F1/01 |
| 代理公司: | 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236 | 代理人: | 胡晶 |
| 地址: | 加拿大*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 使用 加熱器 環形 諧振器 制造 微調 裝置 方法 | ||
1.一種裝置,其特征在于,所述的裝置包括:
包含絕緣體結構上的半導體的襯底,
在所述絕緣體上的光學板,所述光學板由所述半導體形成,
光輸入,光輸出,以及在兩者之間的至少一個光總線,和耦合到所述至少一個光總線并從所述光學板延伸的光環形諧振器,
在所述光學板上和所述光環形諧振器的至少一部分內的加熱器,所述加熱器在所述光環形諧振器的至少一內徑和一外徑之間延伸,所述的加熱器包括具有非均勻摻雜分布的光學板半導體的局部摻雜部分,所述局部摻雜部分是相對于所述加熱器其余部分具有摻雜峰值和/或較高摻雜濃度的區域;
連接至所述加熱器的電氣連接件;
存儲器,存儲所述加熱器的預定電氣參數,當其應用于所述加熱器時,將導致所述加熱器中的所述摻雜劑相對于所述光環形諧振器擴散,由于各個光環狀諧振器內的摻雜劑的濃度改變而引起所述光環形諧振器的諧振的偏移,所述預定電氣參數存儲為加熱期間光環形諧振器中的諧振頻率偏移的函數;和,
使用所述電氣連接件與所述加熱器進行通信的控制器;控制器配置為:
確定所述光環形諧振器的初始諧振頻率;
基于所述初始諧振頻率和目標諧振頻率確定預定電氣參數的子集,使所述加熱器中在所述子集處運行;并且,
使用所述電氣連接件對所述加熱器應用所述預定電氣參數的對應子集,以將所述光環形諧振器的諧振頻率從初始諧振頻率偏移到目標諧振頻率。
2.根據權利要求1所述的一種裝置,其特征在于,所述摻雜劑的非均勻分布包括在所述光環形諧振器的內徑和外徑的任一側上的至少一個濃度峰值。
3.根據權利要求1所述的一種裝置,其特征在于,所述摻雜劑的非均勻分布包括在所述光環形諧振器的內徑和外徑之間的至少一個濃度峰值。
4.根據權利要求1所述的一種裝置,其特征在于,進一步包含在所述加熱器中的第二摻雜劑,由于在加熱期間改變所述光環形諧振器內的所述第二摻雜劑的濃度,所述的加熱器的預定電氣參數進一步與所述光環形諧振器諧振引起的偏移相關。
5.根據權利要求1所述的一種裝置,其特征在于,由于在加熱期間改變一個或多個所述光環形諧振器內晶格缺陷的濃度及物理性質,所述的加熱器的預定電氣參數進一步與引起所述光環形諧振器的諧振中的偏移相關。
6.根據權利要求1所述的一種裝置,其特征在于,由于在加熱期間至少將所述光環形諧振器暴露于反應性氣體中,所述的加熱器的預定電氣參數進一步與引起所述光環形諧振器的諧振中的偏移相關。
7.根據權利要求1所述的一種裝置,其特征在于,所述的摻雜劑包括p型摻雜劑。
8.根據權利要求1所述的一種裝置,其特征在于,所述的摻雜劑包括n型摻雜劑。
9.根據權利要求1所述的一種裝置,其特征在于,所述的摻雜劑包括深層摻雜劑。
10.根據權利要求1所述的一種裝置,其特征在于,所述的光環形諧振器包括光濾波器,所述加熱器圍繞所述光濾波器的主要部分延伸。
11.根據權利要求1所述的一種裝置,其特征在于,所述的光環形諧振器包括光調制器,所述的裝置進一步包括圍繞所述光調制器第一部分的電壓控制裝置,及圍繞所述光學調制器的第二部分的所述加熱器,所述第一部分長于所述第二部分。
12.根據權利要求1所述的一種裝置,其特征在于,所述光環形諧振器和所述光學板的相對厚度的比率大于或等于2比1。
13.根據權利要求1所述的一種裝置,其特征在于,進一步包括在光總線上的光輸入,所述的光輸入配置為接收光信號、將所述光信號傳送到所述光環形諧振器。
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