[發明專利]無機金屬化合物、含其的組合物、器件和裝置及制作方法

有效

• 申請號: 201710140283.3
• 申請日: 2017-03-10
• 公開（公告）號: CN106876599B
• 公開（公告）日: 2019-07-16
• 發明（設計）人: 謝松均
• 申請（專利權）人: 納晶科技股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;H01L27/32
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本發明提供了一種無機金屬化合物、含其的組合物、器件和裝置及制作方法。該無機金屬化合物用于光電器件的第一載流子傳輸層，上述無機金屬化合物是由無機半導體納米晶與螯合劑經過螯合反應得到的螯合物，第一載流子包括電子或空穴。采用該無機金屬化合物可增加材料穩定性，由于在螯合反應時螯合劑與無機半導體納米晶的活性位點進行配位，形成了具有穩定結構的螯合物，使無機半導體納米晶表面的活性位點的活性降低或失活，降低了該活性位點接受外界電子或空穴的能力，使量子點發光層的電子或空穴不易被上述活性位點抽走，減少了量子點的熒光淬滅，解決了現有無機載流子傳輸材料易導致量子點發光層熒光淬滅的問題，提高了光電器件的發光效率。

技術領域

本發明涉及發光器件技術領域，具體而言，涉及一種無機金屬化合物、含其的組合物、器件和裝置及制作方法。

背景技術

在量子點發光二極管(Quantum Dot Light-Emitting Diode，簡稱QLED)中，為了使電子和空穴注入平衡，通常在器件中引入一層載流子傳輸層，來加快電荷的傳輸和注入速率，例如加入一層空穴傳輸層，來加快空穴的傳輸速率。常用的形成載流子傳輸層的材料包括有機載流子傳輸材料和無機載流子傳輸材料，因為有機載流子傳輸層如聚乙烯咔唑(PVK)對環境敏感而不穩定，不適合生產應用，所以一般選用更為穩定的無機載流子傳輸材料，如無機金屬化合物NiO，但無機載流子傳輸材料(由于具有較好的遷移率，會把量子點的空穴抽走，阻礙電子和空穴的復合)容易導致量子點發光層熒光淬滅，這直接影響發光器件的發光效率。

為了解決上述的無機空穴傳輸材料易引起熒光猝滅的問題，現有技術通常采用在加入載流子傳輸層后，再加入一個絕緣的阻擋層(如PMMA阻擋層)，以期阻擋多余電荷注入至量子點發光層，但這種方案由于增加了絕緣阻擋層的制備工藝，增加了原有工藝的復雜度，提高了生產成本，不適合大規模生產。

因此，無機載流子傳輸材料易導致量子點發光層熒光淬滅的問題亟待解決。

發明內容

本發明的主要目的在于提供一種無機金屬化合物、含其的組合物、器件和裝置及制作方法，以解決現有技術中無機載流子傳輸材料易導致量子點發光層熒光淬滅的問題。

為了實現上述目的，根據本發明的一個方面，提供了一種無機金屬化合物，所述無機金屬化合物用于光電器件的第一載流子傳輸層，所述無機金屬化合物是由無機半導體納米晶與螯合劑經過螯合反應得到的螯合物，其中，第一載流子包括電子或空穴。

進一步地，所述無機半導體納米晶選自NiOx納米晶、p型ZnO納米晶、CuO納米晶、Cu₂O納米晶、Fe₃O₄納米晶、FeO納米晶、V₂O₅納米晶、MnTiO₃納米晶、BaTiO₃納米晶、HgS納米晶、PbS納米晶與SnS納米晶中的一種或多種，其中，1≤x≤2。

進一步地，所述螯合劑為帶有多個配位體基團的多齒配合物，所述配位體基團選自氨基、羥基、巰基、磷酸基、羧基與氰基中的一種或多種。

進一步地，所述螯合劑為一種或多種，所述螯合劑包括氨基羧酸類螯合劑中的一種或多種，和/或包括乙二胺。

進一步地，所述螯合劑的種類包括一種或多種，當所述螯合劑的種類為一種時，所述螯合劑對金屬原子的螯合穩定常數大于5，或當所述螯合劑的種類為多種時，多種所述螯合劑的組合對金屬原子的螯合穩定常數大于5；其中，所述無機半導體納米晶包括所述金屬原子。

根據本發明的第二方面，提供了一種組合物，該組合物包括上述的無機金屬化合物。