[發明專利]一種射頻帶狀傳輸線

在審

• 申請號: 201710140045.2
• 申請日: 2017-03-10
• 公開（公告）號: CN106876851A
• 公開（公告）日: 2017-06-20
• 發明（設計）人: 馮琳;管玉靜;符博;丁卓富;薛偉;孫思成
• 申請（專利權）人: 成都雷電微力科技有限公司
• 主分類號: H01P3/18
• 分類號: H01P3/18
• 代理公司: 四川力久律師事務所51221
• 代理人: 韓洋,王蕓

技術領域

本發明涉及微波互聯領域，特別涉及一種射頻帶狀傳輸線。

背景技術

有源相控陣天線由于具有比傳統火控雷達更多的優勢，成為近年來發展的熱點技術； TR模塊是相控陣天線中重要的關鍵組件，其中X波段的TR模塊更是具有發射功率大、射頻增益高的特點，但是由此也特別容易產生射頻自激，進而造成模塊性能的惡化。因此，如何避免大功率TR模塊產生射頻自激一直是大功率TR模塊設計中的重要課題。

TR模塊射頻自激的主要發生原理是：射頻鏈路中的末級器件產生的大功率射頻信號輻射到模塊內部空間中，當鏈路中的前級接收到輻射信號后會經過整個射頻鏈路的射頻放大形成正反饋，最終產生自激。傳統的TR模塊設計采用微帶線作為前級的射頻傳輸線，該結構通常采用單層PCB板，載流導帶下方是接地電介質基片，上方則是自由空間。這種結構非常容易吸收輻射，進而產生射頻自激。而一些設計方式中，為了避免自激往往需要在TR模塊中額外粘貼很多吸波材料和屏蔽紙，工序非常復雜，且產生的效果也非常有限，還大大降低了模塊的批量生產性，同時增加了生產成本。

發明內容

本發明的目的在于克服現有技術中所存在的上述不足，提供一種射頻帶狀傳輸線結構，有效地避免X波段大功率TR模塊中產生的射頻自激。

為了實現上述發明目的，本發明提供了以下技術方案：

一種射頻帶狀傳輸線，包括底層基片、上層基片，以及設置于底層基片上層基片之間的載流導帶；

所述底層基片上載流導帶的兩側，還平行設置有不與所述載流導帶接觸的中間接地金屬層；所述中間接地金屬層上設置有接地金屬過孔；

所述底層基片底部設置有底層接地金屬層，所述接地金屬過孔將中間接地金屬層與底層接地金屬層連接；

所述上層基片頂層還設置有頂層接地金屬層。

進一步的，底層基片、上層基片采用Rogers5880、TLY-5或Rogers6002作為材料。

進一步的，所述載流導帶包括以銅作為材料的導帶本體，以及覆蓋于導帶本體表面的鍍金層。

進一步的，所述導帶本體厚度為0.5~1盎司，鍍金層厚度為1~4um。

進一步的，所述中間接地金屬層包括以銅作為材料的中間接地金屬層本體，以及覆蓋于中間接地金屬層本體表面的接地鍍金層。

進一步的，所述中間接地金屬層本體厚度為0.5~1盎司，接地鍍金層厚度為1~4um。

進一步的，所述金屬過孔的半徑為0.1~0.3mm。

進一步的，所述載流導帶為帶狀結構。

進一步的，所述載流導帶帶狀結構的輸入端、輸出端為微帶線結構，其用于所述載流導帶和其他器件連接。

與現有技術相比，本發明的有益效果：本發明提供的射頻帶狀傳輸線結構，采用底層基片、載流導帶、上層基片的三層結構，使得主要起信號傳輸作用的載流導帶線被“夾”在兩個接地層（頂層接地金屬層、底層接地金屬層）之間，再通過兩個接地層平面之間有電介質，使得該結構能有效地降低輻射損耗和干擾，從而避免TR模塊的射頻自激。

附圖說明：

圖1為本發明提供的射頻帶狀傳輸線整體結構圖。

圖2為本發明中載流導帶和中間接地金屬層分布圖。

圖3為本發明提供的射頻帶狀傳輸線剖面圖。

圖中標記：1-底層基片，11-底層接地金屬層，2-上層基片，21-頂層接地金屬層，3-載流導帶，31、32-導帶輸入端、輸出端，4-中間層接地金屬層，5-金屬過孔。

具體實施方式

下面結合附圖及具體實施例對本發明作進一步的詳細描述。但不應將此理解為本發明上述主題的范圍僅限于以下的實施例，凡基于本發明內容所實現的技術均屬于本發明的范圍。

實施例1：如圖1至圖3所示，本實施例提供一種射頻帶狀傳輸線，包括底層基片1、上層基片2，以及設置于底層基片1上層基片2之間的載流導帶3；所述底層基片1上載流導帶3的兩側，還平行設置有不與所述載流導帶3接觸的中間接地金屬層4；所述中間接地金屬層4上設置有接地金屬過孔5；所述底層基片1底部設置有底層接地金屬層11，所述接地金屬過孔5將中間接地金屬層4與底層接地金屬層11連接；使用時，所述射頻帶狀傳輸線通過底層接地金屬層與功能模塊（如TR模塊）腔體粘連，以實現接地；上層基片2頂層還設置有頂層接地金屬層21，使用時，該頂層接地金屬層要求與功能模塊（TR模塊）的腔體粘接，以實現接地。