[發明專利]連接體的制造方法有效
| 申請號： | 201710138673.7 | 申請日： | 2017-03-09 |
| 公開（公告）號： | CN107230646B | 公開（公告）日： | 2023-05-05 |
| 發明（設計）人： | 梶谷太一郎 | 申請（專利權）人： | 迪睿合株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/603 | 分類號： | H01L21/603 |
| 代理公司： | 北京摯誠信奉知識產權代理有限公司 11338 | 代理人： | 邢悅;王永輝 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 連接 制造 方法 | ||
1.一種連接體的制造方法，其具有下述工序：
在第一電子部件上配置光固化型的各向異性導電膜的工序(A)；
隔著所述各向異性導電膜而在所述第一電子部件上配置第二電子部件的工序(B)；
從所述第二電子部件側進行光照射的工序(C)；以及
利用加熱工具從所述第二電子部件側將所述第一電子部件與所述第二電子部件連接的工序(D)，
在所述工序(D)中的所述第一電子部件與所述第二電子部件的對準偏離量為所述各向異性導電膜中的粘合劑樹脂層所含的導電性粒子的粒徑的50％以內。
2.根據權利要求1所述的連接體的制造方法，其中，所述工序(B)中的所述第一電子部件與所述第二電子部件的對準偏離量為所述第一電子部件的電極或所述第二電子部件的電極的短邊的10％以內。
3.根據權利要求2所述的連接體的制造方法，其中，其中，所述工序(B)中的所述第一電子部件與所述第二電子部件的對準偏離量為1μm以內。
4.根據權利要求1所述的連接體的制造方法，其中，在所述工序(A)與所述工序(B)之間進一步具有對配置于所述第一電子部件上的各向異性導電膜整個面進行光照射的工序(E)。
5.根據權利要求1所述的連接體的制造方法，其中，在所述工序(C)的前后進一步具有擠壓所述第二電子部件的工序(F)。
6.根據權利要求1所述的連接體的制造方法，其中，所述工序(C)中的累計光量為300mJ/cm2以上。
7.根據權利要求1所述的連接體的制造方法，其中，所述工序(D)中，從所述第一電子部件側向所述各向異性導電膜進行光照射。
8.根據權利要求7所述的連接體的制造方法，其中，所述工序(D)中的累計光量為300～1200mJ/cm2。
9.根據權利要求4所述的連接體的制造方法，其中，所述工序(E)中的累計光量小于100mJ/cm2。
10.根據權利要求1～9中任一項所述的連接體的制造方法，其中，所述第一電子部件為透明基板。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
