[發(fā)明專利]應用于顯示面板的晶體管電性測量方法及裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710138600.8
• 申請日: 2017-03-09
• 公開（公告）號: CN106960805B
• 公開（公告）日: 2019-11-26
• 發(fā)明（設計）人: 孟林
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 44280 深圳市威世博知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 鐘子敏<國際申請>=<國際公布>=<進入

本發(fā)明公開一種應用于顯示面板的晶體管電性測量方法，該方法包括：采用鐳射去除所述顯示面板中設置于所述晶體管的電極金屬之上的無機層，并采用鐳射從所述顯示面板中設置于所述電極金屬之上的有機層打孔至所述晶體管的電極金屬；在所述孔內(nèi)電鍍金屬層；以及采用探針與所述金屬層連接，以對所述晶體管的電極金屬進行電性測試。本發(fā)明還公開了對應的裝置。本發(fā)明提高測量晶體管的電學特性的成功率，有利于快速判斷出電性異常，從而快速提升顯示面板的良品率。

技術領域

本發(fā)明涉及顯示屏技術領域，尤其涉及一種應用于顯示面板的晶體管電性測量方法及裝置。

背景技術

隨著科技的發(fā)展，LTPS(Low Temperature Poly-Silicon，低溫多晶硅)顯示屏在中高端小尺寸產(chǎn)品已獲得越來越多的應用，例如智能手機中，LTPS技術可以通過激光退火等方法在玻璃基板上形成高遷移率的多晶硅半導體層，進而通過LTPS技術制作而成的LTPS顯示屏具有高分辨率、高開口率、高反應速度、低功耗等優(yōu)點。

LTPS顯示面板的生產(chǎn)過程復雜，導致其良品率會受各種因素的影響，例如，LTPS顯示面板內(nèi)的器件電性不均勻而造成的顯示不均現(xiàn)象，因此，其器件的電學特性是非常重要的監(jiān)控項目。

然而在生產(chǎn)LTPS顯示面板的基板時，在形成顯示區(qū)TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管)之后，上方有有機平坦層，約2.5～3um，導致量測電性時扎針無法扎到TFT上，導致量測電性失敗，成功率低。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于，針對現(xiàn)有技術中的LTPS顯示面板中量測TFT的成功率低的問題，提供一種應用于顯示面板的晶體管電性測量方法及裝置。

本發(fā)明解決上述技術問題所采用的技術方案是提供了一種應用于顯示面板的晶體管電性測量方法，包括：采用鐳射去除所述顯示面板中設置于所述晶體管的電極金屬之上的無機層，并采用鐳射從所述顯示面板中設置于所述電極金屬之上的有機層打孔至所述晶體管的電極金屬；在所述孔內(nèi)電鍍金屬層；以及采用探針與所述金屬層連接，以對所述晶體管的電極金屬進行電性測試。

在一個實施例中，所述采用鐳射去除所述顯示面板中設置于所述晶體管的電極金屬之上的無機層包括：以第一參數(shù)鐳射所述顯示面板上預設區(qū)域內(nèi)的所述無機層以去除所述預設區(qū)域內(nèi)的無機層；所述采用鐳射從所述顯示面板中設置于所述電極金屬之上的有機層打孔至所述晶體管的電極金屬包括：以第二參數(shù)鐳射所述預設區(qū)域內(nèi)位于所述電極金屬上方的有機層以使所述有機層形成孔至所述電極金屬。

在一個實施例中，所述第一參數(shù)包括第一夾縫尺寸和第一能量大小，其中所述第一夾縫尺寸對應于所述預設區(qū)域的面積，所述第一能量大小與所述無機層的厚度成預設比例。

在一個實施例中，所述第二參數(shù)包括第二夾縫尺寸和第二能量大小，其中，所述第二夾縫尺寸小于所述第一夾縫尺寸，所述第二能量大小大于所述第一能量大小，所述第二夾縫尺寸對應于所述金屬電極。

在一個實施例中，所述在所述孔內(nèi)電鍍金屬層包括：采用聚焦離子束沿著預設方向電鍍金屬以形成所述金屬層；其中，所述預設方向為從所述孔的底部延伸到所述有機層的表面。

在一個實施例中，所述預設方向為從所述孔的底部經(jīng)過所述孔的側壁延伸到所述顯示面板中去除所述無機層后的有機層的上表面，所述探針設置于位于所述有機層的上表面的所述金屬層上。

本發(fā)明解決上述技術問題所采用的另一技術方案是提供了一種應用于顯示面板的晶體管電性測量裝置，包括：鐳射組件，用于去除所述顯示面板中設置于所述晶體管的電極金屬之上的無機層，并從所述顯示面板的設置于所述電極金屬之上的有機層打孔至所述晶體管的電極金屬；電鍍組件，用于在所述孔內(nèi)電鍍金屬層；以及探針，用于與所述金屬層連接，以對所述晶體管的電極金屬進行電性測試。