[發(fā)明專(zhuān)利]發(fā)光元件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710138269.X
• 申請(qǐng)日: 2017-03-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107180901B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-08-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 呂志強(qiáng);林義杰;李榮仁;彭鈺仁;黃銘祥;金明達(dá);李宜青
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L33/32
• 分類(lèi)號(hào): H01L33/32;H01L33/10;H01L33/02;H01L33/06
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種發(fā)光元件，其具有正向電壓，該發(fā)光元件包含：

發(fā)光結(jié)構(gòu)，其包含發(fā)射出第一光的第一活性層，該第一光具有第一峰值波長(zhǎng)λnm；

二極管，發(fā)射出第二光，該第二光具有第二峰值波長(zhǎng)；

隧穿結(jié)構(gòu)，位于該發(fā)光結(jié)構(gòu)與該二極管之間；以及

中間層，位于該二極管與該隧穿結(jié)構(gòu)之間且包含Al；

其中，該中間層中Al的組成比例自靠近該二極管的一側(cè)至靠近該隧穿結(jié)構(gòu)的一側(cè)逐漸改變。

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中該正向電壓是介于(1240/0.8λ)伏特(V)和(1240/0.5λ)伏特之間。

3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中該隧穿結(jié)構(gòu)包含第一隧穿層以及位于該第一隧穿層上的第二隧穿層。

4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中該第二峰值波長(zhǎng)介于800納米至1900納米之間。

5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中該發(fā)光結(jié)構(gòu)包含第一半導(dǎo)體層及第二半導(dǎo)體層，該第一活性層位于該第一半導(dǎo)體層和該第二半導(dǎo)體層之間；該二極管包含第三半導(dǎo)體層、第四半導(dǎo)體層及位于第三半導(dǎo)體層和第四半導(dǎo)體層之間的第二活性層。

6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光元件，其中該中間層介于該第四半導(dǎo)體層和該隧穿結(jié)構(gòu)之間。

7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中該第一活性層發(fā)射出一輻射，該輻射具有一介于580納米至700納米之間的峰值波長(zhǎng)。

8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中該正向電壓介于2.5伏特至3.5伏特之間。

9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中該第一峰值波長(zhǎng)和該第二峰值波長(zhǎng)之間的差異不大于1300nm。

10.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光元件，其中該第一活性層和該第二活性層皆包含交替的阱層和阻障層。

11.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光元件，其中將一阱層和一阻障層視為一對(duì)，該第二活性層的該阱層和該阻障層的對(duì)數(shù)小于10。

12.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光元件，其中該第一隧穿層的厚度大于該第二隧穿層的厚度。

13.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光元件，其中該第二隧穿層的厚度不小于5nm且不大于100nm。

14.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光元件，其中該第一隧穿層的厚度不小于5nm且不大于100nm。

15.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光元件，其中該第一隧穿層和該第二隧穿層包含砷化鋁鎵(AlGaAs)。

16.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光元件，其中該第四半導(dǎo)體層包含砷化鋁鎵(AlGaAs)。

17.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，還包含反射層，位于發(fā)光結(jié)構(gòu)上。

18.如權(quán)利要求17所述的發(fā)光元件，其中該反射層包含分布式布拉格反射鏡。

19.如權(quán)利要求18所述的發(fā)光元件，其中該分布式布拉格反射鏡具有介于20歐姆(Ω)和1000Ω之間的電阻。

20.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中該第二峰值波長(zhǎng)不同于該第一峰值波長(zhǎng)。