[發(fā)明專利]支撐載具、泄漏測(cè)試系統(tǒng)與方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710137208.1 | 申請(qǐng)日: | 2017-03-09 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108573887B | 公開(公告)日: | 2021-02-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張家熏;劉世國(guó);江豐全;劉響;林圣豐 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/66 | 分類號(hào): | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國(guó) |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣新竹市*** | 國(guó)省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 支撐 泄漏 測(cè)試 系統(tǒng) 方法 | ||
一種支撐載具、泄漏測(cè)試系統(tǒng)與方法。支撐載具包含基座、二夾具盤、轉(zhuǎn)動(dòng)件與固定機(jī)構(gòu)?;哂幸蝗葜每臻g。此二夾具盤位于容置空間內(nèi),用以共同夾合一研磨工件于其間。轉(zhuǎn)動(dòng)件可轉(zhuǎn)動(dòng)地連接基座,且可分離地連接此二夾具盤。固定機(jī)構(gòu)將轉(zhuǎn)動(dòng)件與二夾具盤結(jié)合為一體。
技術(shù)領(lǐng)域
本揭露有關(guān)于一種載具,尤指一種支撐載具、泄漏測(cè)試系統(tǒng)與方法。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體元件的制程中,半導(dǎo)體元件的表面平坦化的具體表現(xiàn)將愈來(lái)愈受到重視。其中對(duì)于半導(dǎo)體晶圓基板的其中一種平坦化手段為化學(xué)-機(jī)械平坦化技術(shù)(Chemical-Mechanical Planarization,CMP)。CMP是一種機(jī)械研磨裝置,透過(guò)化學(xué)蝕刻以及物理研磨的方式來(lái)平坦化半導(dǎo)體晶圓基板的表面。
機(jī)械研磨裝置上的研磨工件需要卸載研磨工件以進(jìn)行清潔、維修或更換零件等的日常維護(hù)工作,過(guò)程中以人力多次翻轉(zhuǎn)研磨工件以拆解研磨工件的多個(gè)次組件。在完成清潔、維修或更換零件等的日常維護(hù)工作,再以人力透過(guò)多次翻轉(zhuǎn)的工序組裝研磨工件的多個(gè)次組件研磨工件。
發(fā)明內(nèi)容
本揭露有關(guān)一種支撐載具。支撐載具包含基座、第一夾具盤、第二夾具盤、轉(zhuǎn)動(dòng)件與固定機(jī)構(gòu)。基座具有一容置空間。第一夾具盤位于容置空間內(nèi),第二夾具盤相對(duì)第一夾具盤,用以與第一夾具盤共同夾合一研磨工件于其間。轉(zhuǎn)動(dòng)件可翻轉(zhuǎn)地連接基座,且可分離地連接第二夾具盤與第一夾具盤。固定機(jī)構(gòu)將轉(zhuǎn)動(dòng)件、第一夾具盤與第二夾具盤結(jié)合為一體。
本揭露更有關(guān)一種泄漏測(cè)試系統(tǒng)。泄漏測(cè)試系統(tǒng)包含一支撐載具與一測(cè)試裝置。支撐載具包含基座、第一夾具盤、第二夾具盤、轉(zhuǎn)動(dòng)件與固定機(jī)構(gòu)?;哂幸蝗葜每臻g。第一夾具盤位于容置空間內(nèi),第二夾具盤相對(duì)第一夾具盤,用以與第一夾具盤共同夾合一研磨工件于其間。研磨工件具有內(nèi)部空間與噴嘴。噴嘴位于研磨工件的表面,外露于第二夾具盤的一面,且接通內(nèi)部空間。轉(zhuǎn)動(dòng)件可翻轉(zhuǎn)地連接基座,且可分離地連接第二夾具盤與第一夾具盤。固定機(jī)構(gòu)將轉(zhuǎn)動(dòng)件、第一夾具盤與第二夾具盤結(jié)合為一體。測(cè)試裝置透過(guò)噴嘴接通內(nèi)部空間,并測(cè)試研磨工件是否泄漏。
本揭露更有關(guān)一種泄漏測(cè)試方法。泄漏測(cè)試方法包含步驟如下。將一研磨工件固定于一可翻轉(zhuǎn)的支撐載具上。測(cè)試支撐載具上的研磨工件是否泄漏。
附圖說(shuō)明
本揭露最佳是在結(jié)合隨附附圖解讀時(shí)自以下詳細(xì)描述來(lái)理解。應(yīng)強(qiáng)調(diào),根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)務(wù),各種特征并非按比例繪制且僅用于說(shuō)明目的。事實(shí)上,出于論述清晰的目的,可任意增加或減小各種特征的尺寸。
圖1繪示依照本揭露一實(shí)施例的支撐載具的立體圖;
圖2繪示圖1的支撐載具的分解圖;
圖3繪示圖1的支撐載具沿線段A-A的局部剖視圖;
圖4繪示圖1的支撐載具的操作示意圖;
圖5繪示圖1的區(qū)域M的局部放大圖;
圖6繪示圖1的支撐載具沿線段B-B的局部剖視圖;
圖7繪示依照本揭露一實(shí)施例的支撐載具的電子方塊圖;
圖8A繪示圖1的第一夾具盤的放大立體圖;
圖8B繪示圖8A的第一夾具盤翻轉(zhuǎn)后的立體圖;
圖9A繪示圖1的第二夾具盤的放大立體圖;
圖9B繪示圖9A的第二夾具盤翻轉(zhuǎn)后的立體圖;
圖10A繪示依照本揭露一實(shí)施例的第一夾具盤的立體圖;
圖10B繪示圖10A的第一夾具盤翻轉(zhuǎn)后的立體圖;
圖11繪示依照本揭露一實(shí)施例的支撐載具的立體圖;
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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