[發明專利]一種集成電路引線框架電鍍工藝

在審

• 申請號: 201710136506.9
• 申請日: 2017-03-08
• 公開（公告）號: CN107119295A
• 公開（公告）日: 2017-09-01
• 發明（設計）人: 孫明華;許方宏;王傳玉
• 申請（專利權）人: 安徽國晶微電子有限公司
• 主分類號: C25D5/10
• 分類號: C25D5/10;C25D7/12;C25D5/34;C25D5/48
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及電鍍工藝，具體涉及一種集成電路引線框架電鍍工藝。

背景技術

引線框架作為集成電路的芯片載體，是一種借助于鍵合金絲實現芯片內部電路引出端與外引線的電氣連接，形成電氣回路的關鍵結構件，它起到和外部導線連接的橋梁作用，是電子信息產業中重要的基礎材料。為了滿足制造集成電路半導體元件的導電性能，集成電路的引線框架往往要在其表面局部點位區域進行電鍍金屬銀或其他金屬。由于lC芯片的焊接、封裝等生產過程都是采用的全自動大規模生產技術，因此，對于IC引線框架的鍍層質量也提出了很高的要求，每批框架的鍍層厚度均勻度、硬度、光亮度等都要相當的一致，不得忽高忽低，且電鍍鍍區也要控制得非常好。若用一般的電鍍控制方法，難以達到其要求，必須采用專門的工藝。

發明內容

本發明的目的就是克服現有技術的不足而提供的一種能夠保證鍍層厚度均勻度、硬度、光亮度一致的集成電路引線框架電鍍工藝。

為解決上述技術問題，本發明采取如下技術方案：

一種集成電路引線框架電鍍工藝，包括l C框架半成品，其特征在于：所述的電鍍工藝包括：去油→第一道清洗→酸活化→第二道清洗→預鍍銅→第三道清洗→預浸銀→第四道清洗→鍍銀→銀回收→退銀→第五道清洗→防銅變色→純水洗→烘干。

所述的去油采用的試劑為去油劑和水按照10:50比例配比，溫度為55攝氏度，去3時間為15～30秒。

所述的去油劑為希普勵公司生產的DLF去油劑。

所述的去油酸活化的試劑為1 0～1 5％H 2 S O4 或 6～1 0％HCl。

所述的預鍍銅采用的化學試劑為CuCN、KCN和KOH按照質量份數比40:20:10的比例混合。

所述的預浸銀的防置換藥劑采用的是希普勵公司的SilverjetPridip981。

所述的退銀中使用的退銀劑為希普勵公司的SilverStripEF1000 或安格凱隆公司的EC888。

與現有技術相比，本發明的有益效果為：

本發明一種集成電路引線框架電鍍工藝，采用如上工藝能有效的在引線框架上形成一層厚度均勻度、硬度、光亮度一致的鍍銀層。

具體實施方式

實施例

一種集成電路引線框架電鍍工藝，包括l C框架半成品，所述的電鍍工藝包括：去油→第一道清洗→酸活化→第二道清洗→預鍍銅→第三道清洗→預浸銀→第四道清洗→鍍銀→銀回收→退銀→第五道清洗→防銅變色→純水洗→烘干。

所述的去油采用的試劑為去油劑和水按照10:50比例配比，溫度為55攝氏度，去3時間為15～30秒。

所述的去油劑為希普勵公司生產的DL F去油劑。

所述的去油酸活化的試劑為1 0～1 5％H2SO4或6～1 0％HCl。

所述的預鍍銅采用的化學試劑為CuCN 、KCN 和KOH按照質量份數比40:20:10的比例混合。

所述的預浸銀的防置換藥劑采用的是希普勵公司的SilverjetPridip981。

所述的退銀中使用的退銀劑為希普勵公司的SilverStripEF1000或安格凱隆公司的EC888。

本發明工藝鍍銀采用硝酸銀、氨水和蒸餾水混合物，將經過去油→第一道清洗→酸活化→第二道清洗→預鍍銅→第三道清洗→預浸銀→第四道清洗后的集成電路引線框架進行鍍銀后，經過銀回收→退銀→第五道清洗→防銅變色→純水洗→烘干， 采用本發明電鍍工藝，能有效的在引線框架上形成一層厚度均勻度、硬度、光亮度一致的鍍銀層。