[發明專利]一種存儲器芯片初始操作電壓配置方法及裝置

有效

• 申請號: 201710135958.5
• 申請日: 2017-03-08
• 公開（公告）號: CN108573736B
• 公開（公告）日: 2020-07-10
• 發明（設計）人: 蘇志強;劉會娟
• 申請（專利權）人: 北京兆易創新科技股份有限公司
• 主分類號: G11C29/50
• 分類號: G11C29/50
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 11319
• 代理人: 蘇培華

本發明提供了一種存儲器芯片初始操作電壓配置方法及裝置，涉及存儲器技術領域。本發明提供的存儲器芯片初始操作電壓配置方法及裝置，通過預設的多個電壓值對多個存儲器芯片的每個存儲器芯片都進行多次測試操作，即就是，進行同一測試流程，根據測試流程結束后的測試結果，確定出與之對應的初始操作電壓，實現了根據每個存儲器芯片自身的情況，為每個存儲器芯片確定初始操作電壓，保證了存儲器芯片在以該初始操作電壓進行操作的時候，能夠以最優的操作速度和操作時長完成操作，提高了存儲器芯片的性能。

技術領域

本發明涉及存儲器技術領域，特別是涉及一種存儲器芯片初始操作電壓配置方法及裝置。

背景技術

隨著電子技術的不斷發展，存儲器芯片也越來越多的應用到電子產品中。芯片在使用過程中，都會用到初始操作電壓，例如，芯片的編程(英文：program)或擦除(英文：erase)都會用到初始操作電壓，該初始操作電壓對芯片的性能有很大的影響。

現有技術中，通常是在對存儲器芯片進行量產測試的過程中，對存儲器芯片的初始操作電壓進行統一配置，具體的，對多個芯片通過反復測試，確定一個能滿足大部分存儲器芯片正常工作的初始操作電壓，并將該初始操作電壓的配置信息固化到該多個芯片中。

在實現本發明的過程中，發明人發現現有技術中存在至少如下問題：

由于生產工藝條件的差別，不同存儲器芯片在性能上可能會有差別，這樣，現有技術中，為多個芯片配置相同的初始操作電壓，相同的初始操作電壓對個每顆芯片來說，不一定是合適的，這樣會導致某些芯片在利用初始操作電壓進行操作時出現異常，例如，在利用該初始操作電壓進行編程或擦除或讀取操作的時候，可能會出現操作速度過慢，操作時間過長的問題，進而導致芯片使用性能較差。

發明內容

鑒于上述問題，提出了本發明以便提供一種克服上述問題或者至少部分地解決上述問題的一種存儲器芯片初始操作電壓配置方法及裝置。

依據本發明的第一方面，提供了一種存儲器芯片初始操作電壓配置方法，所述方法提供預設的多個電壓值作為測試電壓，對每個存儲器芯片進行測試操作，所述方法包括：

從預設的多個電壓值中選擇一個未使用的電壓值，作為當前測試電壓；

利用所述當前測試電壓，對存儲器芯片進行測試操作；

判斷所述測試操作是否成功；

如果所述測試操作成功，則確定電壓變化次數Tn；

根據所述電壓變化次數Tn，確定所述存儲器芯片的初始操作電壓；

如果所述測試操作失敗，則從所述預設的多個電壓值中重新選擇一個未使用的電壓值，作為當前測試電壓，重新進行測試。

可選的，在所述從預設的多個電壓值中選擇一個未使用的電壓值，作為當前測試電壓的步驟之前，所述方法還包括：

確定存儲器芯片的最高電壓Vmax、開始電壓Vin以及電壓變化值ΔV；

將所述開始電壓Vin、Vin+ΔV、Vin+2ΔV、Vin+3ΔV...Vin+nΔV確定為預設的多個電壓值，其中，所述Vin+nΔV等于所述最高電壓Vmax。

可選的，所述確定電壓變化次數Tn的步驟，包括：

從所述存儲器芯片中的預設計數器中讀取電壓變化次數Tn。

可選的，所述確定電壓變化次數Tn的步驟，包括：

計算所述當前測試電壓與所述開始電壓Vin的差值；

確定所述差值和所述電壓變化值ΔV之間的倍數關系；

根據所述倍數關系確定電壓變化次數Tn。