[發(fā)明專利]減少外延層中缺陷的方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710134305.5
• 申請(qǐng)日: 2017-03-08
• 公開（公告）號(hào): CN107177831A
• 公開（公告）日: 2017-09-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 漢斯-約阿希姆·舒爾策;約翰內(nèi)斯·鮑姆加特爾;赫爾穆特·厄夫納
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號(hào): C23C16/44
• 分類號(hào): C23C16/44;H01L21/02
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 蔡勝有,蘇虹

1.一種方法，包括：

在襯底的外周邊緣區(qū)域內(nèi)形成一個(gè)或更多個(gè)阻擋結(jié)構(gòu)；以及

在所述襯底上形成外延層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述外延層包含選自由以下組成的材料組中的材料：Si、Ge、GaN、SiC以及這些材料的任意組合或衍生物。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述外延層的厚度為5微米至200微米，包括端值。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述外周邊緣區(qū)域的寬度為100微米至7毫米，包括端值。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述襯底包含選自由以下組成的材料組中的材料：Si、SiC、GaN、SiGe、SOI、GaAs以及這些材料的任意組合或衍生物。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述一個(gè)或更多個(gè)阻擋結(jié)構(gòu)包括在所述襯底中形成一個(gè)或更多個(gè)溝槽，其中在所述一個(gè)或更多個(gè)溝槽上形成所述外延層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中在所述一個(gè)或更多個(gè)溝槽上形成所述外延層包括用所述外延層填充所述一個(gè)或更多個(gè)溝槽中的至少一部分。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，還包括用選自由以下組成的材料組中的材料填充所述一個(gè)或更多個(gè)溝槽：Si₃N₄、SiC、SiON、SiO₂、Ta₂O₅、ZrO₂、Al₂O₃、多晶硅、非晶硅、半絕緣多晶硅、非晶碳以及這些材料的任意組合或衍生物。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，還包括用熱導(dǎo)率大于所述襯底的熱導(dǎo)率的材料填充所述一個(gè)或更多個(gè)溝槽。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中形成所述一個(gè)或更多個(gè)溝槽還包括使用Venecia工藝覆蓋所述一個(gè)或更多個(gè)溝槽以限定所述襯底內(nèi)的一個(gè)或更多個(gè)腔。

11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中形成所述一個(gè)或更多個(gè)溝槽還包括：

用選自由以下組成的材料組中的材料填充所述一個(gè)或更多個(gè)溝槽中的至少一部分：Si₃N₄、SiC、SiON、SiO₂、Ta₂O₅、ZrO₂、Al₂O₃、多晶硅、非晶硅、半絕緣多晶硅、非晶碳以及這些材料的任意組合或衍生物；以及

使用Venecia工藝覆蓋所述一個(gè)或更多個(gè)溝槽。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述一個(gè)或更多個(gè)阻擋結(jié)構(gòu)包括在所述襯底的表面上形成一個(gè)或更多個(gè)氧化物結(jié)構(gòu)，其中形成所述外延層包括在所述一個(gè)或更多個(gè)氧化物結(jié)構(gòu)上形成所述外延層。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述一個(gè)或更多個(gè)阻擋結(jié)構(gòu)包括在所述襯底的表面上形成一個(gè)或更多個(gè)氧化物結(jié)構(gòu)，其中形成外延層包括在所述一個(gè)或更多個(gè)氧化物結(jié)構(gòu)上形成多晶層。

14.一種用于在外延沉積期間減少缺陷的方法，包括：

提供結(jié)晶晶片襯底；

在所述晶片襯底的外周邊緣區(qū)域內(nèi)形成一個(gè)或更多個(gè)阻擋結(jié)構(gòu)，其中所述一個(gè)或更多個(gè)阻擋結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)均包括至少一個(gè)不平行于所述晶片襯底的表面的側(cè)壁；以及

在所述晶片襯底的表面上沉積外延層。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述晶片襯底包含選自由以下組成的材料組中的材料：Si、SiC、GaN、SiGe、SOI、GaAs以及這些材料的任意組合或衍生物。

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中形成所述一個(gè)或更多個(gè)阻擋結(jié)構(gòu)包括在所述晶片襯底中形成一個(gè)或更多個(gè)溝槽，其中在所述一個(gè)或更多個(gè)溝槽上形成所述外延層。