[發(fā)明專利]一種導(dǎo)模法生長晶體光纖的模具及方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710134118.7 | 申請日： | 2017-03-08 |
| 公開（公告）號： | CN107059114A | 公開（公告）日： | 2017-08-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王東海;徐軍;羅平;王慶國;唐慧麗 | 申請（專利權(quán)）人： | 同濟大學 |
| 主分類號： | C30B15/34 | 分類號： | C30B15/34 |
| 代理公司： | 上?？剖⒅R產(chǎn)權(quán)代理有限公司31225 | 代理人： | 蔣亮珠 |
| 地址： | 200092 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 導(dǎo)模法 生長 晶體 光纖 模具 方法 | ||
1.一種導(dǎo)模法生長晶體光纖的模具，其特征在于，包括模具底座、模具盤、模具鉬絲，所述的模具盤設(shè)置在模具底座中心，所述的模具盤設(shè)有8-100個開孔，每個開孔內(nèi)設(shè)有一模具鉬絲。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種導(dǎo)模法生長晶體光纖的模具，其特征在于，所述的模具鉬絲的直徑為2-4mm，下端為圓柱形，上端為圓錐形，模具鉬絲頂端直徑100-1000μm；模具鉬絲中心設(shè)有0.1mm以內(nèi)的圓孔或銑槽，模具鉬絲的整體高度為4-15mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種導(dǎo)模法生長晶體光纖的模具，其特征在于，所述的模具盤為方形或圓形，盤高度3-6mm，其開孔直徑與模具鉬絲的直徑一致。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種導(dǎo)模法生長晶體光纖的模具，其特征在于，所述的模具底座是由1-5kg直徑為2mm的鉬絲填充組成，底座上表面為拋光過的平面，底座高度為40-120mm，與所用坩堝的深度一致。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種導(dǎo)模法生長晶體光纖的模具，其特征在于，所述的模具鉬絲、模具盤、模具底座的材質(zhì)為鉬、鎢、銥、或錸。
6.一種采用如權(quán)利要求1所述模具進行導(dǎo)模法生長晶體光纖的方法，其特征在于，包括以下步驟：
S01，組裝模具：模具底座居中放入坩堝底部，模具盤放在模具底座上的中心位置，模具鉬絲放入模具盤上的開孔內(nèi)；
S02，裝爐：選用M向或C向籽晶，將籽晶固定在籽晶夾頭上，裝入鉬坩堝5kg～7kg焰熔法碎料，模具盤放料粒；
S03，抽真空及充氬氣：關(guān)閉爐門，開啟機械泵進行抽真空，真空度達到3Pa～10Pa時關(guān)閉真空設(shè)備，充氬氣至標準大氣壓；
S04，升溫：打開加熱電源升溫到2100℃～2300℃，使模具口料粒熔化；
S05，引晶：待模具口的料粒熔化后將籽晶搖下，對籽晶進行烤晶后進行引晶，使籽晶塊與熔體熔接，并向上以5mm/h～20mm/h提拉籽晶；
S06，晶體生長：放肩結(jié)束后，進行晶體生長，提高拉速到30mm/h～500mm/h；
S07，降溫：拉脫晶體脫離模具，開始降溫，10h以后降到室溫出爐。
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