[發(fā)明專利]晶邊偏移檢測方法及系統(tǒng)、機(jī)臺(tái)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710133989.7
• 申請(qǐng)日: 2017-03-08
• 公開（公告）號(hào): CN108573886B
• 公開（公告）日: 2020-11-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 汪紅英;孫強(qiáng);陳思安
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時(shí)云

1.一種晶邊偏移檢測方法，用于檢測位于晶圓一面的晶邊是否偏移，所述晶圓包括圖形區(qū)以及位于所述圖形區(qū)外側(cè)的晶邊，其特征在于，包括：

分別沿至少兩條直線向所述晶圓的一面發(fā)出光，至少兩條所述直線非平行設(shè)置，并在所述直線處接受所述晶圓的反射光，所述直線平行于所述晶圓，且所述直線跨過部分所述圖形區(qū)；

對(duì)所述反射光的強(qiáng)弱進(jìn)行統(tǒng)計(jì)后，判斷所述反射光在所述直線處的強(qiáng)度；如果所述反射光在所述直線處的強(qiáng)度區(qū)間依次為第一強(qiáng)度區(qū)間、第二強(qiáng)度區(qū)間和第三強(qiáng)度區(qū)間，其中，所述第一強(qiáng)度區(qū)間和第三強(qiáng)度區(qū)間內(nèi)的強(qiáng)度均小于第二強(qiáng)度區(qū)間的強(qiáng)度，則計(jì)算所述第一強(qiáng)度區(qū)間的寬度和第三強(qiáng)度區(qū)間的寬度；

判斷所述第一強(qiáng)度區(qū)間的寬度和第三強(qiáng)度區(qū)間的寬度是否相等，如果相等，則所述晶圓的晶邊未偏移；否則，所述晶圓的晶邊偏移。

2.如權(quán)利要求1所述的晶邊偏移檢測方法，其特征在于，所述直線跨過所述晶圓的圓心。

3.如權(quán)利要求1所述的晶邊偏移檢測方法，其特征在于，分別沿多個(gè)所述直線向所述晶圓發(fā)出光，多個(gè)所述直線非平行設(shè)置。

4.如權(quán)利要求3所述的晶邊偏移檢測方法，其特征在于，至少兩個(gè)所述直線相互垂直。

5.如權(quán)利要求1所述的晶邊偏移檢測方法，其特征在于，所述第一強(qiáng)度區(qū)間和第三強(qiáng)度區(qū)間內(nèi)所述反射光的強(qiáng)度均小于一預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)，所述第二強(qiáng)度區(qū)間內(nèi)所述反射光的強(qiáng)度均大于一預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)。

6.一種用于如權(quán)利要求1至5中任意一項(xiàng)所述的晶邊偏移檢測方法的晶邊偏移檢測系統(tǒng)，其特征在于，包括：

光發(fā)射器，沿至少一直線向所述晶圓的一面發(fā)出光，所述直線平行于所述晶圓，且所述直線跨過部分所述圖形區(qū)；

光接收器，在所述直線處接受所述晶圓的反射光；以及

統(tǒng)計(jì)單元，對(duì)所述反射光的強(qiáng)弱進(jìn)行統(tǒng)計(jì)。

7.如權(quán)利要求6所述的晶邊偏移檢測系統(tǒng)，其特征在于，所述光發(fā)射器和所述光接收器同時(shí)沿所述直線運(yùn)動(dòng)跨過所述晶圓，所述光發(fā)射器實(shí)時(shí)向所述晶圓發(fā)出所述光，所述光接收器實(shí)時(shí)接受所述晶圓的反射光。

8.如權(quán)利要求6所述的晶邊偏移檢測系統(tǒng)，其特征在于，所述晶邊偏移檢測系統(tǒng)還包括分析單元，所述分析單元判斷所述反射光在所述直線處的強(qiáng)度，如果所述反射光在所述直線處的強(qiáng)度區(qū)間依次為第一強(qiáng)度區(qū)間、第二強(qiáng)度區(qū)間和第三強(qiáng)度區(qū)間，其中，所述第一強(qiáng)度區(qū)間和第三強(qiáng)度區(qū)間內(nèi)的強(qiáng)度均小于第二強(qiáng)度區(qū)間的強(qiáng)度，則所述分析單元計(jì)算所述第一強(qiáng)度區(qū)間的寬度和第三強(qiáng)度區(qū)間的寬度；所述分析單元判斷所述第一強(qiáng)度區(qū)間的寬度和第三強(qiáng)度區(qū)間的寬度是否相等，如果相等，則所述晶圓的晶邊未偏移；否則，所述晶圓的晶邊偏移。

9.如權(quán)利要求8所述的晶邊偏移檢測系統(tǒng)，其特征在于，所述晶邊偏移檢測系統(tǒng)還包括警報(bào)單元，所述警報(bào)單元連接所述分析單元，如果所述晶圓的晶邊偏移，則所述警報(bào)單元發(fā)出警報(bào)。

10.如權(quán)利要求6所述的晶邊偏移檢測系統(tǒng)，其特征在于，所述晶邊偏移檢測系統(tǒng)還包括光電轉(zhuǎn)化單元，所述光電轉(zhuǎn)化單元連接所述統(tǒng)計(jì)單元和光接收器，所述光電轉(zhuǎn)化單元將所述光接收器接收到的光信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào)后，將所述電信號(hào)發(fā)送給所述統(tǒng)計(jì)單元。

11.如權(quán)利要求6所述的晶邊偏移檢測系統(tǒng)，其特征在于，所述晶邊偏移檢測系統(tǒng)還包括顯示單元，對(duì)所述反射光的統(tǒng)計(jì)結(jié)果進(jìn)行顯示。

12.如權(quán)利要求11所述的晶邊偏移檢測系統(tǒng)，其特征在于，所述統(tǒng)計(jì)結(jié)果為所述反射光在不同位置的圖和/或所述反射光在不同位置的表。

13.如權(quán)利要求6所述的晶邊偏移檢測系統(tǒng)，其特征在于，所述晶邊偏移檢測系統(tǒng)還包括支架，所述支架上設(shè)置有至少一軌道，所述軌道在所述直線上延伸，所述光發(fā)射器和所述光接收器在所述軌道上運(yùn)動(dòng)。